三星电子在推进新一代QLC NAND闪存技术量产方面遇到瓶颈，最新消息显示其量产时间表推迟至2026年第一季度。

技术资料显示，三星于2024年第二季度率先实现了第九代高密度NAND的量产，初期版本采用TLC技术结构，单芯片容量突破1TB大关。随后在第三季度开始QLC版本试产，但由于芯片设计存在缺陷导致性能指标不理想，公司决定推迟正式上市时间。

市场分析指出，虽然三星在NAND市场份额保持领先，但其QLC技术发展进度明显落后同业。目前商用化产品主要为第七代QLC，第八代产品线甚至尚未推出QLC版本。

值得注意的是，韩国竞争对手SK海力士已在8月底率先宣布成功量产321层堆叠的2TB QLC NAND芯片，刷新了行业技术高度。其公布的性能指标显示，新一代产品数据传输速率翻倍，写入性能提升56%，读取速度加快18%，同时能耗控制优异，特别契合AI服务器等高性能应用场景。

另据了解，三星在今年早些时候的技术研讨会上曾透露400层以上的第十代1TB TLC NAND研发成果，但具体量产时间依旧成谜。日本存储大厂铠侠则展示了332层的第十代NAND样品，但同样未能实现规模化量产。