9 月 9 日消息，中国科学院半导体研究所科技成果转化企业北京晶飞半导体科技有限公司昨日宣布近期成功利用自主研发的激光剥离设备实现了 12 英寸 (300mm) 碳化硅 (SiC) 晶圆的剥离。
这一技术突破解决了大尺寸碳化硅晶圆加工的技术瓶颈，打破了国外厂商在大尺寸碳化硅加工设备领域的技术垄断，有利于 12 英寸 SiC 晶圆的商业化。而面积更大的 SiC 晶圆意味着更低的晶边损失和更大规模的一次处理能力，单位芯片成本能较 6 英寸晶圆降低 30%~40%。
晶飞半导体成功利用自研激光剥离设备实现 12 英寸碳化硅晶圆剥离
9 月 9 日消息，中国科学院半导体研究所科技成果转化企业北京晶飞半导体科技有限公司昨日宣布近期成功利用自主研发的激光剥离设备实现了 12 英寸 (300mm) 碳化硅 (SiC) 晶圆的剥离。这
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