据IT之家3月13日消息，山西天成半导体材料有限公司于2024年8月正式成立，这家高新技术企业专注于碳化硅（SiC）衬底材料的研发、生产以及晶体生长设备的制造。该公司于本月11日宣布，已成功制备出14英寸SiC单晶材料，其有效厚度达到了30毫米。
据了解，14英寸SiC单晶材料主要应用于SiC器件的制造。这类器件以SiC及其复合材料为核心材料，是刻蚀、外延、沉积等核心半导体制造工艺设备所需的关键零部件。
14英寸碳化硅单晶问世：天成半导体成功突破制备技术
IT之家 3 月 13 日消息，山西天成半导体材料有限公司成立于 2024 年 8 月，是一家专注于碳化硅 (SiC) 衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。其本月 11 日宣布成功制
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