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14英寸碳化硅单晶问世:天成半导体成功突破制备技术

14英寸碳化硅单晶问世:天成半导体成功突破制备技术

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2026-03-13

据IT之家3月13日消息,山西天成半导体材料有限公司于2024年8月正式成立,这家高新技术企业专注于碳化硅(SiC)衬底材料的研发、生产以及晶体生长设备的制造。该公司于本月11日宣布,已成功制备出14英寸SiC单晶材料,其有效厚度达到了30毫米。


据了解,14英寸SiC单晶材料主要应用于SiC器件的制造。这类器件以SiC及其复合材料为核心材料,是刻蚀、外延、沉积等核心半导体制造工艺设备所需的关键零部件。

来源:https://www.163.com/dy/article/KNTPIFPQ0511B8LM.html
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