7月24日，清华大学官网发布最新研究成果。化学系许华平教授团队在极紫外光刻材料领域实现重大突破，成功研制出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶材料，这项创新为先进半导体制造的核心材料提供了全新解决方案。
随着芯片制造工艺向7纳米及以下制程迈进，13.5纳米波长的EUV光刻技术成为关键。然而EUV光源存在反射损耗大、亮度低等挑战，这对光刻胶材料的吸收效率、反应机制和缺陷控制提出了近乎苛刻的要求。
当前主流EUV光刻胶普遍采用化学放大或金属敏化团簇技术来提高灵敏度，但这些方案往往存在结构复杂、组分不均、易扩散等问题，容易在制造过程中引入缺陷。
学术界普遍认为，理想的EUV光刻胶必须同时满足四大特性：出色的EUV光吸收能力、高效的能量转化效率、优异的分子均一性，以及最小化的结构单元，这样才能实现高灵敏度、低缺陷和精确的线宽控制。
许华平研究团队基于自主发明的聚碲氧烷材料，开发出这款革命性的EUV光刻胶。在研究过程中，团队创新性地将具有高EUV吸收率的碲元素通过Te-O键引入高分子骨架，充分利用碲元素的优异吸收特性和Te-O键的低解离能优势，实现了高吸收率、高灵敏度的正性显影效果。
这种光刻胶材料采用单组分小分子聚合工艺，在设计简洁性的前提下完美整合了理想特性，为EUV光刻胶的下一代发展指明了方向。
清华大学表示，该项研究提出的结合高吸收元素碲、主链断裂机理与材料均一性的光刻胶设计理念，将有力推动EUV光刻材料的创新发展，为中国半导体产业突破关键材料瓶颈提供重要支撑。
