据韩国媒体最新报道，三星电子在3D NAND堆叠技术领域再次取得突破——其通过单元多层键合（CMB）技术，将两片450层3D NAND芯片进行连接，成功打造出全球首个900层超高堆叠的3D NAND闪存原型。更值得关注的是，该原型样品的存储单元电气工作特性也已经完成验证。

如果把两座450层的NAND“摩天大楼”整合为一座900层的超级存储结构，听起来已经足够震撼——但真正的技术难点，在于对键合精度与可靠性的极高要求。只要其中任意一层出现偏差，整个3D NAND堆叠结构都可能失效。

在此次原型制造过程中，三星电子拿出了多项关键工艺：通过“上部卡盘”（Upper Chuck）技术解决晶圆翘曲问题，借助新型套刻校正技术克服微细对准误差，同时进一步优化位线（BL）与字线（WL）设计，并同步改善功耗表现和信号传输质量。可以说，在超高层3D NAND闪存研发中，这些都是难度极高的核心环节，而三星已经成功实现突破。