全球头部存储厂商的市值竞赛，近期已经进入白热化阶段。

在三星电子市值突破1万亿美元之后，美光科技在美股5月26日收盘时大涨19.29%，股价刷新历史新高，市值也一举站上1万亿美元。紧接着，5月27日盘中，SK海力士股价一度上涨11%，市值同样突破1万亿美元关口。至此，全球最大的三家DRAM存储原厂，市值全部迈入万亿美元级别。

从收盘市值来看，美光是第二家市值突破1万亿美元门槛的DRAM原厂。今年年初至5月26日，美光股价累计涨幅已达到2.14倍；如果从2025年初开始计算，涨幅更是高达9.68倍，表现十分强劲。

资本市场之所以高度关注这三家存储原厂，核心驱动力仍然是AI需求持续增长，尤其是与人工智能密切相关的HBM，也就是高带宽内存，这是一类关键的DRAM产品。目前，HBM的主要供应商正是这三家原厂。其中，SK海力士在HBM市场份额上暂居第一，但美光的追赶速度同样不容忽视。

在三家原厂中，美光在HBM领域的投入力度尤为突出。根据TrendForce集邦咨询统计，去年SK海力士占据了HBM市场一半以上的份额，而三星、SK海力士、美光各自HBM占公司总内存产能的比例分别为23%、18%和26%。换句话说，从内存产品结构来看，美光HBM业务的占比反而最高。为了加快追赶步伐，美光此前甚至跳过HBM3这一代，直接押注HBM3e研发，并成功进入英伟达供应链。

机构普遍预计，今年美光有望在HBM市场争取到更多份额。TrendForce数据显示，去年SK海力士、美光和三星的HBM生产位元占比分别为59%、20%和20%；而到了今年，SK海力士的占比预计将收窄至50%，美光则有望提升至28%。与此同时，HBM市场规模也在同步扩张，预计今年将突破300亿Gb。

不过，随着HBM4进入商业化周期，存储行业竞争也在持续升温。有业内分析人士指出，美光成功抓住了HBM3e应用落地的关键时间窗口，并与SK海力士一起成为英伟达去年的主要供应商，而三星去年的重心则更多放在AMD等其他客户身上。

但三星今年已经明显加快追赶步伐。随着英伟达产品持续迭代，三家HBM4供应商今年均已进入英伟达供应链。在今年3月举行的英伟达GTC大会上，美光宣布，为英伟达Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12-high产品已经开始批量出货。三星也同步表示，为Vera Rubin打造的第六代HBM4已经进入量产阶段。

对于美光而言，当前最重要的任务之一，就是确保HBM4产能爬坡顺利推进。在3月的财报电话会上，美光高管表示，随着HBM4生产爬坡和批量出货不断推进，预计其达到成熟良率的速度将快于HBM3e。去年第三季度，美光已经实现既定目标——HBM市场份额与DRAM整体市场份额持平。而在今年，公司将同步供应HBM3e和HBM4两款产品。

不过，若从DRAM整体营收来看，美光与另外两家存储原厂相比仍存在一定差距。根据市场研究机构闪存市场的数据，去年第四季度DRAM原厂营收中，三星市占率最高，达到37.1%，SK海力士为33.1%，美光则为20.8%。在同期NAND闪存营收排名中，三星和SK海力士位列前二，美光则排在第五，市占率仅为11.6%，差距更加明显。

从业绩表现来看，在截至今年2月26日的财季中，美光营收同比增长196%，达到238.6亿美元；GAAP净利润更是同比大幅增长数倍，达到137.9亿美元。公司预计，2026年行业DRAM位元出货量将增长20%以上，NAND闪存位元出货量同比增长约20%，而公司自身的DRAM与NAND供应增幅将与行业整体水平大致持平。

市值站上1万亿美元的美光，当前与其他存储原厂一样，既面临行业缺货、供应紧张带来的增长机遇，也承受着扩产与交付的现实挑战，并正在同步推进产能建设。业界普遍预计，按照原厂现有建设节奏，到2027年，存储产品市场仍将维持供应偏紧状态。