8 月 10 日消息，据韩国媒体《首尔经济日报》当地时间 9 日援引知情人士消息报道，三星电子在 HBM4 高带宽内存领域的良率已经接近 80%，且有望提前实现原定于 2026 年底 达成的目标；与此同时，良率提升也进一步推动了其 HBM4 产能爬坡速度持续加快。

业内消息人士表示，三星电子在今年 2 月初步量产 HBM4 时，产品良率仅在 60% 左右，距离 DRAM 行业实现大规模商业化所需的标准仍有明显差距，这也在一定程度上限制了三星电子当时在 HBM4 方面的投片规模。

不过，随着良率不断改善和提升，三星电子已经具备在 HBM4 产品线上获得可观回报的条件，因此也更有动力将更多 DRAM 晶圆制造产能向 HBM4 倾斜。

另有消息指出，三星电子计划在本季度将 HBM4 销售额提升至上季度的 3 倍以上，并进一步把其在下半年整体 HBM 营收中的占比扩大至 60% 以上；同时，公司目标是在今年年底前拿下与整体 DRAM 市场份额相当的 HBM 市场占有率。