从当前的发展节奏来看，在NAND闪存赛道上，铠侠已经提前布局下一阶段的技术路线。据悉，铠侠计划于2026年夏季推出BiCS10 1Tb TLC NAND闪存样品，目标直指面向PCIe Gen6接口的下一代企业级SSD和高性能存储应用。
此次发布的BiCS10采用332层堆叠设计，这一方案本身就颇具看点。与部分厂商推进400层以上NAND闪存的激进策略不同，铠侠选择332层，显然是在制造工艺、成本控制、能效表现以及长期可靠性之间做出了更均衡的取舍。综合评估后，铠侠认为，相比部分400层方案，332层设计可将单位容量成本降低约10%，同时带来约10%的能效提升，可靠性指标则进一步提升35%。从企业级存储和数据中心应用需求来看，这样的技术路径显得更务实也更具竞争力。
再看整体市场趋势。铠侠预计在未来两到三年，即2026年至2028年期间，全球NAND闪存出货总容量将保持约22%的年复合增长率。其中，数据中心存储需求增长尤为明显，增速预计可达46%；而AI推理带动的NAND需求更加强劲，年增长率有望达到86%，成为最受关注的增长引擎之一。就当前阶段而言，NAND闪存市场仍处于供需关系较为紧张和复杂的调整期，但随着产能逐步优化以及需求结构持续改善，市场失衡状况预计将逐步缓解。
面对这样的行业发展趋势，铠侠也在加速业务转型，方向十分清晰：持续向高附加值市场发力，重点布局数据中心、企业级SSD等高端存储产品线。其目标是将相关业务营收占比提升至60%以上，从而进一步增强整体盈利能力。与此同时，传统个人电脑和智能手机市场的收入预计仍将保持相对稳定。在制程演进方面，铠侠计划在2026至2028财年持续推进技术升级，争取实现前端单位容量成本每年下降约10%。更长远来看，到2029财年之后，更先进制程节点的量产计划也将逐步展开。
