存储半导体行业又迎来新进展——宏芯宇在 COMPUTEX 2026 展会上正式发布了自研 UFS 2.2 嵌入式闪存主控芯片，型号为 HG2325。
这款主控芯片基于 22nm 成熟制程打造，内置大容量 SRAM 缓存，并集成了自研的 4KB LDPC 硬件纠错引擎。其可适配主流 3D TLC 与 QLC NAND 闪存颗粒，闪存接口速率最高可达 1600MT/s。规格方面，HG2325 兼容高通、联发科以及紫光展锐等主流 SoC 平台，支持容量范围从 64GB 覆盖至 1TB。实际性能方面，512GB 模组的顺序读取速度最高可达 1060MB/s，顺序写入速度可达 975MB/s，放在 UFS 2.2 主控芯片这一定位中，整体表现相当稳健。
值得关注的是，宏芯宇此次在台北国际电脑展上展示的并不只有这一款 UFS 主控产品。包括 PCIe Gen5 x4 企业级 SSD、DDR5-5600 RDIMM，以及车规级嵌入式闪存和固态硬盘等产品也同步亮相。从产品矩阵的丰富度与完整性来看，宏芯宇显然正在加速布局存储芯片与存储设备市场，覆盖从消费级到车规级、从 UFS 到 PCIe 5.0 的多元应用方向，整体战略路径已经十分清晰。
