三星半导体近期发布的人物访谈中，其晶圆代工业务技术开发负责人구자흠再次确认了一项关键信息：三星计划在HBM5世代采用2nm工艺来制造基础裸片。事实上，早在今年3月，三星电子存储器业务开发副总裁황상준就已表达过类似观点。如今，2nm工艺在HBM技术路线图上的位置愈发清晰，成为业界关注焦点。
구자흠还透露了一个值得关注的数字：HBM5的运行速率预计将比HBM4E提升50%以上。这意味着什么？基础裸片需要支持更高密度的硅通孔（TSV），才能满足行业对带宽和容量的持续增长需求。三星选择2nm作为基础裸片工艺，目标十分明确——在性能与能效两个维度同时实现质的飞跃，进一步巩固其在HBM内存领域的领先地位。
说到这儿，不妨回顾一下三星在HBM4和HBM4E上的布局。这两个版本均配备了4nm基础裸片，但细节上有所不同。三星充分发挥了其4nm节点的灵活性，在HBM4E基础裸片中引入了高密度、超高性能器件，成功实现了14+ Gbps的高速运行。同时，金属层的重新排列不仅降低了功耗，还优化了散热路径。这些技术积累，显然为HBM5采用2nm工艺奠定了坚实基础。
补充同频道和同主题内容，方便继续浏览更多相关内容。
继续查看同栏目最近更新的文章。
中国AI黑板能实时将手写公式生成动态曲线，手绘草图瞬间变为可操控的3D模型。该技术基于光学字符识别与3D剖分，依托国产算力大模型。目前已在300余城市、超10万个班级应用，课堂问题解答率提升85%，参与度提升72%。
影石X6全景相机8月12日发布，支持8K30fps全景视频录制，最长140分钟，配备PureVideo低光优化模式，可换镜头，电池2600mAh，配件含隐形自拍杆、镜头保护盖和充电管家。
Club3D发布全球首款9米无源USB4线缆，无需芯片或供电，实现20Gbps带宽、100WPD充电，支持4K@240Hz或8K@60Hz视频，适用于会议室、VR及扩展坞等长距离高带宽场景。
铠侠与闪迪发布第十代332层QLC3D闪存，密度提升60%至37Gb mm²以上，接口速率4 8Gb s，为全球首款。采用CBA技术及ToggleDDR6 0协议，引入PI-LTT技术改善能效，面向AI与云端基础设施。
三星GalaxyFit4手环通过美国FCC认证，外观与上代基本相似，蓝牙升级至5 4版本，支持低功耗蓝牙技术，连接更稳定且功耗更低，提升使用体验。不支持NFC、GPS及UWB功能，保留心率监测、睡眠追踪等基础健康监测功能，定位为入门级穿戴设备。