7月27日，国内DRAM存储芯片领域的绝对领军企业——长鑫科技，正式登陆上交所科创板。此次上市一举刷新了科创板创立以来的最高募资纪录，市场关注度空前。

发行定价确定为8.66元/股，在超额配售选择权行使前，募集资金总额高达579.19亿元，扣除发行费用后净额为576.38亿元。这一数字已经超越了中芯国际当初未含绿鞋机制的初始募资规模。若全额行使超额配售权，总募资金额将攀升至666.07亿元——不仅打破中芯国际保持多年的532.3亿元科创板募资纪录，更跻身A股历史上IPO募资规模的前三名。

发行后公司总股本为668.81亿股，首日可流通股份45.03亿股。科创板新股上市前五个交易日不设涨跌幅限制，当股价波动触及30%、60%两档阈值时将触发临时停牌机制。投资者情绪极为高涨，网上有效申购户数突破942万户，中签率仅为0.4714%——远低于常规新股平均水平，充分反映出打新热情的火爆。整体网上网下弃购比例仅0.17%，此前网上投资者放弃认购的658万股，全部由承销机构包销处理。

长鑫科技是国内唯一、全球第四大DRAM研发制造一体化企业，在合肥、北京布局了三座12英寸晶圆制造基地，正持续缩小与三星、美光、SK海力士在技术与产能方面的差距。受存储芯片周期上行拉动，公司业绩实现根本性扭转：上半年归母净利润区间为500亿元至570亿元，彻底摆脱了往年持续亏损的困境。产品已批量供应服务器、消费电子终端，深度进入国内各大互联网巨头的供应链体系，完整构建了自主可控的存储产业链配套生态。

机构测算，按照全年1500亿至2000亿元净利润、20倍市盈率区间估算，长鑫科技上市后整体市值有望冲击3万亿元级别。