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Exynos W1000实现3nm可穿戴芯片 面板级封装提升集成度

类型:热点整理2026-07-25
三星ExynosW1000是业界首款采用3nmGAA工艺的可穿戴芯片,多核性能较前代提升3 7倍,单核性能提升3 4倍,实现性能飞跃。通过FOPLP、SiP及ePoP先进封装技术,集成度大幅提高,为智能手表带来更强性能与更长续航,树立可穿戴芯片全新标杆。
# 三星 Exynos 可穿戴芯片深度解读:从 W920 到 W1000 的进化之路

三星在可穿戴芯片领域持续发力,从2021年的Exynos W920到2023年的W930,再到2024年7月发布的Exynos W1000,每一代产品都带来了显著的性能提升与技术突破。本文将带你全面了解三星可穿戴芯片的发展历程,并深入解析最新旗舰Exynos W1000的核心技术。

一、三星可穿戴芯片发展历程

1. Exynos W920(2021年8月)

  • 工艺制程业界首款5nm工艺可穿戴芯片
  • 首发设备:Galaxy Watch 4 系列
  • 历史意义:开启了可穿戴芯片5nm时代

2. Exynos W930(2023年7月)

  • 工艺制程:延续5nm工艺
  • 首发设备:Galaxy Watch 6 系列
  • 定位:W920的迭代升级版

3. Exynos W1000(2024年7月)

  • 工艺制程业界首款3nm GAA工艺可穿戴芯片
  • 首发设备:Galaxy Watch 7 系列
  • 发布节奏:打破了两年一更新的惯例,性能跃升明显

图源:三星官网

来源:https://m.elecfans.com/article/3805125.html

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