安森美新一代数据中心电源解决方案：T10 PowerTrench + EliteSiC 650V MOSFET
2024年6月6日，安森美（onsemi）正式推出专为数据中心量身打造的全新电源组合方案——T10 PowerTrench™系列与EliteSiC™ 650V MOSFET。该方案聚焦人工智能计算带来的巨大能耗挑战，通过大幅降低转换损耗，助力数据中心实现更高能效与更优散热表现。
背景：人工智能计算推动电力需求飙升
- 配备人工智能的引擎比普通搜索引擎多消耗约10倍电力。
- 预测未来两年内，全球数据中心的电力需求将高达约1,000太瓦时（TWh）。
- 电力从电网到处理器需经过四次转换，其中约12%的电力被浪费。
组合方案的核心优势：大幅降低电力损耗
采用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案后，数据中心电力损耗可降低约1%。若全球数据中心均采纳此方案，每年可节省约10太瓦时的能源，相当于为近百万户家庭提供全年用电。
关键技术解析
1. EliteSiC 650V MOSFET：开关性能与效率突破
- 具备出色的开关性能及更低的器件电容，在数据中心和储能系统中实现更高效率。
- 与前代产品相比，栅极电荷减半；输出电容（Eoss）和输出电荷（Qoss）中的能量分别减少44%。
- 与超级结（SJ）MOSFET对比：关断时无拖尾电流，高温下表现更优，大幅降低开关损耗。
- 客户可提高工作频率，缩小系统元件尺寸，降低整体系统成本。
2. T10 PowerTrench系列：大电流、高密度、低导通电阻
- 专为DC-DC功率转换级的大电流设计，紧凑封装实现高功率密度和优良散热性能。
- 采用屏蔽栅极沟槽设计，拥有超低栅极电荷和小于1毫欧的导通电阻RDS(on)。
- 软恢复体二极管和较低的Qrr有效降低振铃、过冲和电气噪声，保证高压环境下的最佳性能、可靠性和稳定性。
- 符合汽车应用所需的严苛标准，品质可靠。
符合行业规范
该组合方案完全符合超大规模运营商所要求的开放式机架V3（ORV3）基本规范，支持下一代大功率处理器。
小提示：如果您正在设计数据中心电源系统，建议优先考虑支持ORV3规范的组件，以确保与主流机架及未来处理器的兼容性。
常见问题（FAQ）
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问：采用该方案后，数据中心整体能效提升多少？
答：根据安森美数据，电力损耗可降低约1%。虽然看似不大，但全球范围下每年可节省约10太瓦时电能，相当于近百万户家庭的全年用电。 -
问：EliteSiC 650V MOSFET与普通SiC器件相比有何优势？
答：栅极电荷减半，输出电容能量减少44%，关断无拖尾电流，高温性能更优，从而在更高频率下工作，缩小系统尺寸并降低成本。 -
问：T10 PowerTrench系列是否只适用于数据中心？
答：虽然本文重点用于数据中心DC-DC转换，但其符合汽车级标准，也可用于其他高功率密度、高可靠性的应用场景。
总结
安森美通过T10 PowerTrench系列与EliteSiC 650V MOSFET的组合，为数据中心带来高效率、低损耗、高可靠性的电源解决方案。在人工智能计算能耗激增的背景下，该方案为降低全球数据中心电力浪费提供了切实可行的路径。