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长鑫存储提前布局DDR6和LPDDR6抢抓市场机遇

时间:2026-07-22 12:09
长鑫存储正加速产能扩张,2026年末月产能将达35万片晶圆,接近美光。同时提前布局DDR6和LPDDR6,已完成LPDDR6工程送样,速率12 8Gbps,DDR6预计2028至2029年商业化。三星与SK海力士转向HBM导致LPDDR市场短缺,为长鑫提供窗口期。

长鑫存储(CXMT)近期在国内外半导体行业备受关注——作为国内唯一一家能够同时量产DDR5、LPDDR5和LPDDR5X芯片的DRAM制造商,正以惊人的速度扩大产能。根据最新规划,到2026年底,长鑫的月产能将达到35万片晶圆,这一数字较此前30万片的目标显著提升,已十分接近三大原厂之一的美光(月产能约37.5万片)。


据Wccftech报道,长鑫存储一方面正积极推动HBM(高带宽内存)的研发,另一方面其供应链已提前启动DDR6和LPDDR6的布局。目标十分明确:在三星和SK海力士凭借先发优势构筑市场壁垒之前,抢先切入下一代DRAM赛道,确保技术平稳过渡。

DDR4和DDR5的生产工艺相对成熟,制造环节较为简单。然而,DDR6的多层设计对封装基板的层数和工艺精度提出了更高要求,传统卷对卷工艺在成本和效率上已显不足,面板级封装因此成为更优选择。目前,长鑫存储正在推进面板级生产方法的落地,为后续量产奠定基础。

据传闻,长鑫存储已完成LPDDR6的工程送样,速率可达12.8Gbps。而DDR6预计在2028年至2029年间实现商业化,长鑫也已做好相应技术储备。值得注意的是,三星与SK海力士正将更多产能转向HBM,导致传统LPDDR市场出现结构性短缺——这恰恰为长鑫提供了一个难得的窗口期。能否抓住这一机遇,取决于后续的执行力。

来源:https://www.163.com/dy/article/L2CN7AM005118EDB.html
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