交银国际首予兆易创新“买入”评级，目标价907港元彰显存储龙头潜力
2025年7月20日，交银国际发布首次覆盖报告，正式给予中国内地存储芯片领军企业兆易创新“买入”评级，并将目标价定为907港元。这一评级迅速引发市场广泛关注，也再次将兆易创新在NOR Flash、DRAM及SLC NAND Flash领域的战略布局推向聚光灯下。在存储芯片行业经历周期性调整的当下，交银国际认为兆易创新正面临新一轮市场洗牌的关键机遇，其历史战绩与产能绑定能力将成为业绩增长的核心驱动力。
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从NOR Flash到DRAM：兆易创新的复制式扩张逻辑
交银国际在报告中指出，兆易创新此前已在NOR Flash领域成功证明了自己“能抢份额、能赚钱”的商业模式。通过持续的技术迭代与成本控制，公司不仅在全球NOR Flash市场占据重要份额，更实现了稳定的盈利增长。如今，随着存储芯片市场重新洗牌，兆易创新很可能将同样的打法复制到DRAM与SLC NAND Flash等新品领域，进一步扩大市场份额并提升利润空间。
特别值得注意的是，兆易创新与长鑫存储的深度绑定关系，被交银国际视为其DRAM业务持续发展的关键支撑。长鑫存储作为国内领先的DRAM制造商，为兆易创新提供了稳定的产能与技术支持，使得后者能够在利基型DRAM（如DDR3、DDR4）市场快速切入并实现国产替代。这种“设计+代工”的垂直协作模式，在中国半导体自主可控的大背景下，具有显著的供应链安全优势。
业绩预测与估值分析：营收与利润双增长可期
交银国际对兆易创新未来两年的财务表现给出了乐观预期。根据报告数据：
- 2025年总营收预计达到255.6亿元，2026年则进一步增长至339.8亿元，同比增幅约33%。
- 毛利率预计保持高位，2025年约为65.3%，2026年小幅提升至65.8%，反映出产品结构优化与规模效应。
- 归母净利润方面，2025年预计为139.7亿元，2026年达到165.8亿元，对应基本每股收益分别为21.02元和24.95元。
以907港元目标价计算，当前股价距此仍有较大上行空间。交银国际认为，兆易创新在产能替代浪潮中具备持续扩张份额的潜力，尤其是在国产化率较低的利基型DRAM和SLC NAND Flash市场，公司的技术积累与客户资源将转化为实实在在的订单增长。
国产替代加速：利基型DRAM与SLC NAND Flash的黄金赛道
当前全球存储芯片市场格局正经历深刻变革。一方面，海外巨头（如三星、SK海力士、美光）加速向高端产品转移，逐步退出利基型市场；另一方面，中国本土终端厂商对国产化供应链的需求日益迫切。兆易创新凭借NOR Flash市场积累的客户信任和长鑫存储的产能后盾，在利基型DRAM（DDR3/DDR4/LPDDR4）和SLC NAND Flash（1Gb/2Gb容量）领域已形成差异化竞争优势。
行业数据显示，2025年全球利基型DRAM市场规模预计超过300亿美元，而中国厂商占比不足10%。兆易创新作为国内少数具备量产能力的IDM（设计+制造）厂商，正通过价格、性能、供应稳定性三重优势，加速替代海外产品。在智能家居、工业控制、通信设备、车载电子等应用场景中，其芯片已获得多家头部客户认证。
玩家视角：为何交银国际此时给出“买入”评级？
从市场时机来看，当前存储芯片行业正处于周期底部复苏阶段。受AI服务器、新能源汽车、物联网等下游需求拉动，2025年下半年起存储芯片价格已出现企稳反弹迹象。兆易创新作为产业链上游核心供应商，有望率先受益于涨价周期与出货量增长的双重红利。此外，中芯国际、华虹半导体等本土代工厂的产能释放，也为兆易创新提供了更灵活的生产调度空间。
交银国际还特别强调，兆易创新在研发投入上的持续加码是长期竞争力的保障。2024年公司研发费用率超过15%，重点布局先进制程NOR Flash、车规级DRAM、高可靠性SLC NAND Flash等方向。这些技术储备不仅巩固了现有市场份额，也为未来切入嵌入式存储（eMMC）甚至3D NAND Flash等更高阶市场埋下伏笔。
风险提示与行业展望
尽管前景广阔，投资者仍需关注以下潜在风险：
- 存储芯片价格波动：若下游需求复苏不及预期，产品价格可能再次承压。
- 国际贸易摩擦：半导体设备与材料进口限制可能影响扩产节奏。
- 竞争加剧：国内其他厂商（如北京君正、东芯股份）也在积极布局利基型DRAM，价格战风险不容忽视。
不过，从长期来看，中国存储芯片国产替代趋势不可逆转。兆易创新凭借“NOR Flash基本盘+DRAM新增量”的双轮驱动战略，叠加长鑫存储的产能协同效应，有望在未来3-5年内成长为全球利基型存储市场的重要玩家。交银国际的907港元目标价，正是基于这一战略逻辑给出的估值锚点。
