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联发科下一代芯片独家采用英特尔EMIB-T封装 2027年底量产

类型:热点整理2026-07-20
联发科下一代芯片将独家采用英特尔EMIB-T封装,取代台积电CoWoS方案,计划2026年第四季度流片,2027年第四季度量产。当前EMIB-T验证良率约90%,目标98%。爱普、力积电已进入供应链,谷歌新一代TPU也在评估采用该技术。

在芯片封装技术路线的关键抉择上,联发科已做出明确战略部署。近日,联发科正式宣布其下一代芯片项目将独家采用英特尔的EMIB-T先进封装技术,而不再沿用台积电的CoWoS方案。这一决策不仅直接影响联发科自身产品的性能表现与成本控制,也预示着先进封装市场的竞争格局或将迎来深刻变化。

联发科下一代芯片将独家采用英特尔EMIB-T封装,预计2027年底量产

根据已披露的时间规划,该下一代芯片项目的流片目标定于2026年第四季度,并计划在2027年第四季度正式进入量产阶段。高盛分析指出,联发科企业级ASIC业务进展优于预期,次世代芯片设计复杂度大幅提升,全面采用EMIB-T等先进封装技术已成为必然趋势。

EMIB-T与CoWoS的技术路径差异

英特尔将EMIB定位为台积电CoWoS的直接竞争方案。两者在技术路径上存在显著差异:CoWoS采用大面积硅中介层来连接不同组件,而EMIB则选择性地通过嵌入式硅桥连接GPU核心与内存等关键部件。英特尔宣称,去除中介层这一设计能够降低制造复杂度和整体成本,从而在先进封装领域形成差异化优势。

良率成为关键挑战与目标

分析师郭明錤指出,英特尔已将98%的良率设定为EMIB-T工艺的基准目标,旨在使其生产成熟度能够与成熟的倒装芯片球栅阵列工艺相媲美。然而,根据供应链最新报道,英特尔EMIB-T先进封装的当前验证良率约为90%,距离98%的量产标准仍有明显差距。从90%提升至98%的难度被认为远大于从零起步的初始阶段,良率爬坡将成为量产前的核心攻坚任务。

供应链联动与谷歌的角色

联发科的这一决策在供应链层面引发了连锁反应。爱普和力积电两家厂商已确认进入英特尔EMIB-T封装供应链,并与联发科共同切入谷歌新一代TPU项目。值得注意的是,谷歌的下一代TPU定制AI芯片也在评估采用EMIB-T进行封装的可行性。谷歌方面将密切关注EMIB-T的良率表现,因为这直接关系到其在与英伟达竞争中的成本优势与市场地位。

与此同时,谷歌在此轮封装策略调整中展现出积极的成本管控姿态。据供应链消息,谷歌正尝试绕开联发科,直接向台积电采购相关晶圆,以削减中间环节的加价成本。这一动作反映出谷歌意图在对标英伟达的AI芯片竞争中建立起更稳固的成本优势,进一步巩固其在AI算力市场的竞争力。

来源:IT之家

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