全球人工智能基础设施建设的蓬勃浪潮，正在为存储芯片市场开辟前所未有的增长空间。市场调研机构Counterpoint最新报告指出，这一热潮催生了针对NAND闪存的创纪录级需求，直接推动今年第一季度全球NAND闪存市场规模同比激增至去年同期的3.5倍，总规模达到460亿美元。

在这一行业背景下，国内头部存储芯片制造商长江存储表现尤为突出。报告披露，今年第一季度，长江存储一方面充分受益于国内本土市场的强劲需求红利，另一方面也精准踩中了全球存储供应短缺的行业周期窗口，当期营收同比直接飙升445%，对应的全球NAND闪存市场份额已经攀升至13%。

产能加速扩张，今年产量有望超越海力士与美光

Counterpoint研究员MS Hwang分析认为，持续注入的产业资金为长江存储提供了追赶头部厂商的充足动力，使其完全有机会快速甩开竞争对手铠侠和美光科技，稳稳确立自己全球第三大NAND供应商的行业地位。这一判断正随着长江存储的产能扩张步伐逐步变为现实。

据韩国当地产业媒体报道，长江存储计划在今年下半年正式启动位于武汉的第三期晶圆厂，专门生产更高堆叠层数的新一代NAND闪存产品。按照当前的扩产节奏测算，今年年内长江存储的NAND闪存总产量，就将超过目前行业排名第三、第四的SK海力士和美光，整体规模仅次于三星和铠侠。

生产基地满负荷运转，新产线即将投产

业内知情人士透露了长江存储产能爬坡的具体细节。其武汉基地的一期和二期生产线目前产能已经逼近最大设计上限。最新建成的三号生产线正处于全面投产前的最后阶段，所有核心生产设备的安装调试工作正在紧锣密鼓推进。

过去两年里，长江存储以远超行业预期的速度在全球NAND闪存市场站稳了脚跟。其武汉二期生产线2024年才正式投产，仅用两年时间就冲到了满产状态，月均产出可达6万片。规模最大的一期生产线月均产量已经达到10万片。

整个企业的年总产量也从2024年的129万片，增长到2025年的177万片，预计2026年年产能将接近200万片。待三号工厂实现全面投产后，长江存储整体出货量将正式反超SK海力士和美光，顺利跻身全球NAND市场第三名，行业位次仅次于年出货量482万片的日本铠侠和年出货量468万片的三星电子。