在光芯片制造领域，如何实现生产成本的大幅降低始终是行业关注的核心焦点。尽管传统的深紫外（DUV）光刻技术已相当成熟，但其高昂的设备与工艺成本长期制约着大规模普及。近期，一项新的技术突破为这一难题提供了极具竞争力的解决方案。

璞璘科技与力策科技强强联合，采用其自主研发的真空气压式晶圆级纳米压印（NIL）图案化设备PL-AS，配合定制化的双层压印胶材料与核心工艺，成功实现了8英寸光芯片晶圆的规模化量产。尤为引人注目的是，这一技术路线将芯片的制造成本压缩至传统DUV方案的十分之一，为光芯片的大规模商业化应用打开了全新局面。

技术性能突破与核心优势

PL-AS设备在技术指标上表现卓越。它支持小于10纳米的线宽分辨率，可满足高精度图案化制作的严苛要求。在压印均匀性方面，晶圆整面压印压力均匀性误差被控制在0.5%以下，有效保障了图案转移的一致性。此外，该设备还支持无残余层压印工艺，对准精度可根据需求定制至百纳米级，并且兼容平面或曲面衬底，以及硬质与柔性模板，展现出极佳的工艺适应性。

成本与效率突破：对比传统工艺

与传统的辊压法晶圆级NIL技术相比，PL-AS设备采用面施力方式，确保晶圆上每一个纳米级单元受力完全一致，从而将RLT（残余层厚度）偏差控制在2纳米以内。同时，其生产吞吐量显著高于步进式的佳能NIL设备，大幅提升了制造效率。

成本优势是这项技术的核心亮点所在。PL-AS作为气压式设备，其机械结构相比复杂的DUV光刻机更为简单，无需昂贵的光学系统和光源。此外，该工艺还可使用寿命更长的复合模板，进一步摊薄每次压印的模板成本。正是这些因素的综合作用，使得采用该技术的芯片制造成本得以降至传统DUV光刻方案的十分之一，为光芯片在数据中心、通信等领域的低成本、大规模应用铺平了道路。