闪迪与铠侠日前联合宣布，第十代 BiCS FLASH 3D 闪存技术——BiCS10 已正式启动样品交付。首款产品为 1Tb TLC 规格，堆叠层数达到 332 层。这一迭代速度相当迅速，距离上一代 BiCS8 发布仅隔不久。

在技术架构方面，BiCS10 延续了 BiCS8 时代已完备的两项核心技术。其一是 CMOS 直接键合到阵列技术，将 CMOS 逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合工艺整合。另一项是间距选择栅极漏极技术，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。这两项工艺的成熟迭代，为 332 层堆叠和 4.8Gb/s 接口速率提供了底层支撑。

性能方面，BiCS10 的 NAND 接口速度达到 4.8Gb/s，较 BiCS8 提升 33%。位密度提升 59%，实现超过 29Gb/mm² 的业界领先存储密度。能效表现同样出色——输入功耗较 BiCS8 降低 10%，输出功耗降低 34%，写入能效提升 18%，读取能效提升 30%。

技术层面，BiCS10 支持 Toggle DDR6.0 接口标准、SCA 协议以及 PI-LTT 低功耗技术。这些硬指标的组合表明，其目标并非消费级市场。

铠侠同步发布预测：2026 至 2028 年，NAND 市场整体出货容量复合年增长率约为 22%，其中数据中心领域增速高达 46%。这一判断凸显出 AI 带来的存储需求正成为市场增长的核心引擎。

两家公司均未将 BiCS10 定位为消费级产品，目前也尚未公布具体单颗售价。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，专为 AI 训练、推理及大规模云工作负载设计。332 层堆叠加上 4.8Gb/s 的接口速率，足以满足未来数年数据中心对高性能存储的严苛需求，而消费级场景暂时无法充分释放其潜力。