一个看似矛盾的现象正在功率半导体行业持续上演：一方面，SiC（碳化硅）产能消化面临挑战、衬底价格出现下滑、部分企业承受经营压力等消息不断传出；另一方面，英飞凌、芯联集成、意法半导体、安森美等全球头部厂商却在积极追加投资、扩大产能，甚至在MOSFET、IGBT等产品领域释放出涨价信号。

这并非行业判断失误，而是功率半导体领域正在步入一个全新的结构性增长周期：低端产能相对过剩，但高端有效产能却严重不足；新能源汽车需求虽存在短期波动，但AI算力及电网需求已迅速接棒成为增长新引擎；而竞争的核心维度，也正从单一器件性能的较量，升级为系统级交付能力的全面比拼。

新能源车依然是增长基本盘

过去数年间，新能源汽车无疑是功率半导体最重要的需求主线。尽管整体增速有所放缓，但庞大的需求体量依然稳固，只是增长的底层逻辑已从“量的快速扩张”切换为“高压化技术升级”。在400V电压平台时代，硅基IGBT足以满足主流车型需求；然而，当800V乃至1000V高压架构成为中高端车型提升快充体验的核心卖点时，SiC MOSFET的角色便从“性能升级件”转变为决定系统效率与充电体验的“基础核心器件”。

国际能源署（IEA）在《全球电动汽车展望2026》中给出了清晰预测：2025年全球电动车销量已突破2000万辆，占新车总销量的约四分之一；预计2026年将进一步增至2300万辆，占比约28%。报告特别指出，2025年市场上已出现首批1000V高压车型，尽管支持250kW以上超充的车辆存量占比仍低于5%，但随着超充及兆瓦级充电设施的快速扩张，其销量正在迅猛增长。

因此，汽车应用领域依然是功率器件最为稳定的基本盘。

Yole的相关研究也佐证了这一判断：未来数年内，汽车行业仍将是SiC功率器件增长的主要驱动力，尤其是800V纯电动车型（BEV）将成为最重要的拉动因素；与此同时，AI数据中心、可再生能源等新兴应用，正加速成为新的增长极。

这正好解释了当前行业为何呈现出“看似矛盾”的状态：SiC产业链的某些环节出现降温，但8英寸SiC晶圆却热度不减；低端功率器件供应充裕，而高端车规级器件依然供不应求；总体扩产规模庞大，但能够通过客户严苛验证、实现稳定供货、并成功进入主驱逆变器及AI电源系统的优质产能，仍然远远不够。

AI重新点燃功率器件增长周期

如果说过去功率半导体的核心叙事是新能源汽车，那么到了2026年之后，一个不可忽视的全新变量已经登场：AI数据中心。

过去探讨AI，人们更多关注GPU、HBM、先进封装、光模块和交换芯片。但随着AI集群规模持续扩大，底层基础问题逐渐凸显：电力从哪里来？如何高效进入机房、机柜和服务器？最终，如何以更低的能量损耗稳定供给GPU？

此时，功率器件已不再只是一个不起眼的电源零部件，而是决定AI基础设施能否持续扩张的关键底座。

AI算力越强，对供电效率、功率密度以及热管理的要求就越高。传统服务器电源尚能在相对稳定的功率区间内工作，但AI服务器的负载波动更为剧烈，机柜功率密度更高，电源系统必须变得更加高效、紧凑且可靠。

近期有关下一代AI数据中心供电架构的研究也表明，AI负载正在显著推高数据中心的电力需求、瞬态电流峰值及热管理压力，同时暴露了传统48V机柜架构、低压交流配电和工频变压器接口的局限性。

因此，AI对功率半导体的拉动效应，绝不仅仅是多采购几颗MOSFET或PMIC那么简单。它可能深刻改变整个数据中心的基础供电架构。

从服务器内部电源，到机柜级电源分配系统，再到数据中心级的中压直流、固态变压器、高压DC/DC转换，功率半导体正在从“电子系统里的基础元器件”，演变为“AI基础设施能否继续扩张的关键决定因素”。

这也正是今年上半年MOSFET、IGBT、PMIC等功率产品重新出现涨价预期的根本原因。据财联社报道，AI数据中心需求的集中爆发，正在挤占8英寸成熟制程的产能，单台AI服务器对高压MOSFET、电源管理MOSFET的需求大幅攀升，进一步加剧了8英寸产能的紧张局面。新洁能、捷捷微电、芯联集成等厂商，均已出现不同程度的价格调整。

功率半导体的增长逻辑，因此而重新打开。

过去，它仅仅是新能源汽车供应链上的一个环节；现在，它正成为AI、汽车、储能、电网以及工业电源共同争夺的核心基础产能。

全球龙头的防守反击与战略布局

在此背景下，功率半导体龙头企业集体加码扩产，绝非偶然。

2026年7月2日，英飞凌在德国德累斯顿举行了盛大的开业仪式，宣布其历史上单笔投资金额最大的项目——Smart Power Fab正式提速投产。这座斥资50亿欧元、并获得欧盟芯片法案下德国政府近9.2亿欧元补贴的工厂，投产后将使英飞凌在德累斯顿基地的300mm功率半导体及模拟/混合信号芯片产能直接翻倍，成为全球最大的智能功率器件与模拟芯片生产基地。

与此同时，针对AI订单的爆发式增长，英飞凌在年中追加了预算。近期财报及市场沟通会上，英飞凌大中华区及全球高管透露，由于AI服务器（如适配NVIDIA下一代GB300等架构）的电源组件需求远超预期，其AI相关业务营收预计在2026财年达到15亿欧元（2025财年仅为7亿欧元），2027财年更有望突破25亿欧元。

更值得关注的是，英飞凌正在重构其业务组织架构。自2026财年第四季度起，英飞凌将原有的四大事业部——汽车电子（ATV）、绿色工业功率（GIP）、功率与传感系统（PSS）以及互联安全系统（CSS），重新整合为三大事业部：Automotive、Power Systems和Edge Systems。其中，新设立的Power Systems将整合AI数据中心电源、电网基础设施、工业、通信等非汽车功率相关业务。这一调整意味着，英飞凌正将功率半导体从传统的汽车和工业应用中进一步抽象出来，作为面向AI、电力基础设施和能源转型的核心增长平台。

意法半导体在意大利Catania建设的200mm SiC一体化制造基地，总投资预计约50亿欧元，并获得意大利政府约20亿欧元支持。该项目计划于2026年开始生产，到2033年满产后，产能最高可达每周1.5万片晶圆。

安森美也在捷克推进端到端SiC制造能力建设，计划进行最高20亿美元的多年期投资，覆盖硅和碳化硅的晶圆制造、抛光、外延等关键环节。

梳理这一轮扩产动作不难发现，全球功率龙头仍在坚定押注SiC和先进功率器件，并未因SiC短期的消化压力而止步。过去，汽车是它们功率业务最重要的增长叙事；如今，AI数据中心、电网、电源基础设施的重要性正在快速提升。它们看重的，并非某一个季度的新能源汽车销量，而是未来十年整个能源系统的电气化、数字化和高压化大趋势。

事实上，2026年上半年，英飞凌、TI、意法等全球20多家功率巨头，已因AI和电网需求挤爆产能，在4月1日和7月1日连续掀起了两轮“涨价潮”，部分AI电源组件的交货周期甚至传出长达40周，涨幅惊人。

本土功率半导体进入有效产能建设关键期

再看国内市场，中国同时拥有全球最大的新能源汽车市场、迭代速度最快的AI硬件生态、庞大的储能和光伏产业链，以及正在快速增长的机器人和工业自动化应用场景。

这些产业都有一个共同特征：高度迭代。中国车企一年内进行多次改款，800V高压平台快速向中低端市场下沉；AI服务器和智算中心的电源架构仍在持续演变；储能PCS、充电桩、机器人执行器以及工业电源，都在追求更高效率、更小体积和更低成本。

这无疑为本土功率半导体厂商打开了绝佳的窗口机遇。但机会不仅仅在于“国产替代”层面——不局限于替代海外一颗芯片，而在于能够更快地参与客户前期设计定义、更快地完成车规级验证、更快地调整封装和模块方案，并且更快地将成本降低。

6月11日，芯联集成发布公告，拟在绍兴市与相关方合资建设一条月产能5万片的12英寸数模混合芯片生产线，作为公司的四期项目，计划总投资约200亿元，其中公司出资30.12亿元，持股25.1%。

可以看出，芯联集成并非单纯聚焦某一类器件，而是在向“系统级代工平台”方向演进：8英寸硅基、12英寸硅基、6英寸/8英寸SiC、高压BCD、MEMS、模组封装、应用验证和可靠性测试资源，几乎实现全面覆盖。芯联集成管理层此前提出了三条增长曲线：硅基功率器件、SiC MOSFET芯片及模组、高压大功率BCD模拟IC，并预计2026年收入突破100亿元。

根据芯联集成披露的信息，2025年公司已构建起8英寸硅基、12英寸硅基、6/8英寸碳化硅三大产线：8英寸硅基产能为17万片/月，12英寸硅基产能为3万片/月，6英寸SiC MOSFET产能为8000片/月。公司还表示，2026年8英寸硅基和6英寸SiC产能利用率预计继续保持90%以上，12英寸硅基产能利用率有望达到80%以上。

芯联集成收购芯联越州，同样释放出强烈的产业整合信号。通过全资控股芯联越州，公司可一体化管理母公司10万片/月和芯联越州7万片/月的8英寸硅基产能，重点支持SiC MOSFET、高压模拟IC等核心业务。

芯联集成并非孤例，国内功率半导体厂商正集体进入“有效产能建设期”的核心阶段。

士兰集宏的8英寸SiC功率器件芯片项目，总投资规划120亿元，分两期建设。一期投资70亿元，规划年产42万片、月产3.5万片8英寸SiC功率器件芯片，已于2026年1月4日实现通线，2026-2028年持续产能爬坡，预计2029年完全达产；二期计划新增年产30万片、月产2.5万片产能，最终一期和二期合计形成月产6万片8英寸SiC产能。

根据时代电气2026年3月的投资者关系活动记录，2025年公司半导体子公司收入55.32亿元，同比增长26.72%；其中IGBT收入48.53亿元，同比增长29.88%。公司还提到，宜兴产线自2025年6月底实现芯片线满产后，持续维持满载运营状态。另据2026年6月的投资者互动信息，时代电气三期株洲SiC产线已于2025年底投产，目前处于产能爬坡阶段，公司车规级SiC产品已有小批量交付。

扬杰科技方面，2025年年报显示，公司首条SiC车规级功率半导体模块封装项目已建成并投产。2026年4月的投资者关系记录中，扬杰科技还表示，8英寸晶圆项目、车规级功率芯片制造项目等核心项目，预计将在2026年下半年陆续投产，同时汽车电子、AI数据中心及储能业务均被列为战略重点方向。

晶盛机电2026年5月的投资者关系记录显示，其子公司浙江晶瑞电子材料正加速推进年产60万片8英寸SiC衬底项目的投产，并启动新一期基础设施建设；同时，马来西亚8英寸碳化硅衬底工厂预计2026年底实现通线投产。

天岳先进方面，2026年3月的报道显示，公司早在2024年就提出了96万片的产能规划并分步实施，8英寸产品已建立稳定的大规模供应体系，并与全球头部功率器件企业保持长期战略合作。

天科合达也在IPO材料相关报道中披露，已实现2英寸至8英寸SiC衬底的规模化生产，并成功研发出12英寸SiC衬底产品。

这一系列动作背后，并非简单的规模扩张，而是在系统性地补齐平台能力。中国功率半导体行业过去长期面临一个挑战：单点器件可以实现技术突破，但系统级能力不够完整。而现在，新能源车、AI服务器、机器人、储能、光伏逆变器、充电桩等下游应用，都在倒逼功率厂商从“卖一颗芯片”向“提供一套经过充分验证的电力电子解决方案”全面转型。

产业矛盾：一边产能过剩，一边产品涨价

本轮功率半导体周期中，最容易产生误判的地方，就是把“扩产”直接等同于“行业景气”。

事实上，行业并非所有环节都处于向好态势。

TrendForce在2026年全球SiC功率器件报告中判断，SiC行业正进入2至3年的产能消化阶段，需求集中释放后伴随短期波动，行业正从技术驱动转向成本驱动，中低端车型将成为SiC渗透率提升的关键变量。

SiC已经度过了“只要性能优越就能卖出高价”的阶段。接下来，车企会更加关注成本效益，尤其是在中低端车型上，SiC能否从高端车型成功下沉到主流市场，取决于整个产业链能否有效控制成本。

因此，功率半导体行业未来将长期存在一种结构性分化：普通6英寸SiC产能可能需要较长时间消化，但高良率的8英寸SiC晶圆依然稀缺；普通硅基功率器件竞争激烈，但车规级IGBT、MOSFET及模块能力依然构成较高壁垒；低端消费和工控市场对价格较为敏感，而AI服务器、主驱逆变器、储能PCS和高压快充领域，则更看重产品的可靠性以及供货的长期稳定性；单颗芯片的技术门槛在下降，但从芯片到功率模块、再到系统级验证的整体门槛，却在不断升高。

所谓“一边产能过剩，一边产品缺货”，描述的正是这种高度分化的市场格局。

行业当前并不缺少产线，真正缺少的是能够获得下游客户信任和认可的有效产能；并不缺少通用器件，真正缺少的是能够通过车规认证、适用于AI电源系统、并能实现长期稳定交付的高品质器件；并不缺少扩产的故事，真正缺少的是能够穿越行业周期的优质订单质量。

结语

综上所述，当下的功率半导体领域正在经历的绝非一轮简单的周期性景气回升，而是一场围绕“有效产能”的深度价值重估。

在这场产业变局中，新能源汽车依然是托底的基本盘，而AI数据中心则充当了最大的爆发性变量；与此同时，8英寸SiC正在重新塑造成本曲线，高压BCD与先进模块封装技术则在加速补齐系统级能力短板。

可以说，功率半导体的下半场，名为大规模扩产，实为全球电气化浪潮之下，核心基础设施的关键卡位战。