针对外界传言台积电因保守而拒绝投资下一代光刻设备，董事长魏哲家在近日股东大会上亲自澄清。他表示，公司已购入最新的High-NA EUV光刻机，并正积极进行研发。然而，基于成本考量，现阶段暂不将其投入量产环节。这一表态明确了台积电对这项尖端技术的当前布局策略。

由ASML研发的最新High-NA EUV光刻机，每台单价高达3.8亿至4亿美元，是当前主流EUV设备价格的两倍多。魏哲家坦言，设备过于昂贵是暂不用于大规模生产的主因。台积电目前的策略是优先充分利用好手中现有的EUV光刻设备，通过成熟技术满足市场需求。

现有技术足以支撑先进制程需求

魏哲家强调，现有EUV光刻机结合多重图案化等先进技术，仍足以支撑2纳米及更先进制程的微缩需求。这使台积电拥有充分底气，可等待High-NA EUV技术经济性更优时再大规模部署。这种审慎的成本控制策略，符合其一贯的经营纪律。

研发先行确保未来顺利投产

实际上，台积电早在2024年9月就已接收首台High-NA EUV光刻机，并安置于研发中心，专门用于开发下一代工艺所需的基础光刻技术。魏哲家认为，提前启动研发准备至关重要，可确保未来决定投产时迅速达到可靠良率与理想产出效率。但他也坦言，要将这台价值4亿美元的顶级设备真正投入生产线，还需等待更合适的时机。

与英特尔等竞争者已将High-NA EUV提上量产日程的策略不同，台积电选择了“先研发、后投产”的稳妥路线。魏哲家预计，当真正需要单次曝光实现更细微线宽，且晶圆生产成本开始具备竞争力时，High-NA EUV技术将自然融入生产体系。