近日，国内首台专用于光芯片制造的半导体级纳米压印光刻机正式完成交付。该设备型号为PL-AS真空气压式纳米压印光刻机，标志着国产光刻技术已在特定细分领域取得全新突破，并顺利进入规模化量产验证阶段。

此次交付的设备全程绕开了传统的深紫外光刻技术路线，专注于光芯片的制造需求。其核心亮点在于实现了8英寸光芯片晶圆的规模化量产能力，为相关产业链的自主可控提供了关键装备支撑。

技术性能与工艺优势

在具体技术指标方面，该纳米压印光刻机的线宽分辨率达到了小于10纳米的高水平。更为关键的是，其在晶圆整面压印时的压力均匀性误差被控制在低于0.5%，同时支持无残余层压印工艺。设备采用面接触气压工作模式，确保晶圆各区域受力均匀，能将残余层厚度偏差控制在2纳米以内，完美契合光芯片生产对精度和一致性的严苛要求。

与传统的辊压工艺相比，该方案有效规避了线接触可能带来的形变问题；相较于步进式设备，其全域压印模式则大幅提升了量产效率。该技术可实现跨尺度微纳结构的一次成型，省去了多道复杂的光刻工序，在简化生产流程的同时，保障了产品的生产良率。

应用落地与成本优势

本次设备的交付，首要目标是服务于激光雷达芯片的量产，助力合作方旗下光学相控阵芯片面向车载、智能终端等市场的规模化落地。从技术验证层面来看，通过8英寸晶圆的规模化量产，证实了国产纳米压印技术能够在光芯片制造中稳定替代传统的DUV光刻工艺。

尤为引人注目的是其成本优势。整套方案搭配了定制的双层压印胶材料体系，使得芯片的制造成本得以大幅压缩。据披露，其成本可降至传统DUV光刻方案的十分之一，这对于降低高端光芯片的入门门槛和普及应用具有重要意义。目前，这套纳米压印解决方案已在光通讯化合物芯片、硅光环形导光结构芯片等领域完成了量产验证，展现了广泛的应用潜力。