在不久前落幕的2025年国际固态电路会议（ISSCC）上，铠侠与闪迪联合展示了一项备受瞩目的技术成果——第十代3D闪存。简而言之，这次他们不仅将NAND接口速度提升至4.8Gb/s，更在能效与位密度两方面刷新了行业纪录。如果用一句话来概括：这不仅是速度上的突破，更是存储架构层面的一次效率革新。
这项技术的核心，源于铠侠与闪迪持续优化的CBA（CMOS直接键合到存储阵列）工艺。结合最新的Toggle DDR6.0接口标准、全新独立的命令地址（SCA）协议，以及名为PI-LTT（电源隔离低抽头终端）的功耗控制技术，使得整条数据通路从信号传输到能耗管理实现了代际跃升。
从具体数据来看，这款第十代产品相较于目前量产的第八代BiCS FLASH，NAND接口速度提升了33%，达到4.8Gb/s。更值得关注的是能效表现：输入功耗降低了10%，输出功耗更是大幅下降34%。在数据中心能耗压力持续增大的背景下，这种“跑得更快、功耗更低”的特性精准切中了行业痛点。
在位密度方面，存储层数增加至332层，同时通过优化晶圆平面布局，最终实现了59%的位密度提升。这意味着同等芯片尺寸可以容纳更多数据，对于AI训练、大模型推理等对存储容量和带宽要求极高的应用场景，其价值不言而喻。
铠侠首席技术官宫岛英史在发布会上表示，随着AI技术的普及，数据产生规模将持续爆发，而数据中心对能效的要求也与日俱增。他坦言，这项新技术将助力推出更大容量、更高速度、更低功耗的存储产品，包括未来用于AI基础设施的SSD。
闪迪公司全球战略与技术高级副总裁Alper Ilkbahar则从客户需求多样化的角度做了补充：AI的发展使存储器的应用场景日趋多元化，铠侠与闪迪通过CBA技术的迭代，能够在容量、速度、性能和资本效率之间找到更优平衡点，满足不同细分市场的需求。
值得一提的是，两家公司还同步更新了第九代BiCS FLASH的规划。凭借CBA技术的独特优势，他们可以将新的CMOS工艺与现有存储单元技术灵活组合，以更具资本效率的方式提供高性能、低功耗的产品。可以预见，从第九代到第十代，铠侠与闪迪的技术路线图正在加速落地，而整个数字社会对高性能存储的期待，也将因这些底层创新而变得更加触手可及。
