我们从最新的3D NAND技术开始谈起。这项技术，可以说是当前半导体存储领域中确定性最强的增量方向之一。通俗地讲，固态硬盘（SSD）和存储芯片内部正在经历一场“垂直革命”。

（1）3D NAND：靠层数换取更高的密度

NAND，全称为NAND Flash，也就是我们常说的闪存。其存储单元在电路设计上串联成类似“与非门”的结构，因此得名。

传统的2D NAND是在同一个平面上逐格布置存储单元。但随着工艺不断微缩，物理极限摆在那里，平面缩小越来越困难。于是，业界开始向“高度”发展——这就是3D NAND。本质上，它是将存储单元像盖楼一样一层层向上堆叠，用层数来换取存储密度。

目前，3D NAND的堆叠层数已从200多层持续攀升，正朝着375层、480层乃至604层迈进，技术路线已十分清晰。每增加一层，字线（Word Line）就需要更细、更长、更深，这直接催生了核心需求：字线金属材料从钨替换为钼。

（2）字线金属“以钼取代钨”已成为明确趋势

字线是什么？可以将其理解为3D NAND这栋“几百层高楼”中每一层的水平控制线路。它连接着各层的“存储房间”（存储单元）的控制栅极，负责为读写操作选通特定层级。

简而言之，字线好比每层楼的“电线总开关”。要读写哪一层的数据，就通过字线为那一层通电，将其选中。

问题在于层数增加后，字线越来越长（L增加），而截面积却越来越细（A减小）。此时传统钨金属的电阻急剧升高，信号延迟和发热问题随之而来。相比之下，钼的电阻率更低，且无需额外阻挡层，因此自然成为高层堆叠的必然选择。

图：AlphaClaw总结

产业信号已经十分明确。例如，SK海力士375层3D NAND的生产验证已于6月11日完成，计划年底在清州M15工厂正式量产。这意味着“钼替代钨”已不再是远景概念，而是正在落地的产业拐点。

图：AlphaClaw总结

（3）半导体级钼：关注高纯溢价而非总量冲击

关键点在于：3D NAND所使用的半导体级钼与工业钼完全是两个概念。它要求超高纯度，通常为纯度5N（99.999%）以上的钼粉。两者产品形态不同，且基本不互通。

3D NAND字线的制造采用“替换栅”工艺。首先将牺牲层（通常是SiN）挖除，留下极窄极深的空腔，再填充金属。该填充过程使用气相前驱体，因此核心受益品种是钼前驱体。

目前全球半导体级钼前驱体市场规模极小，但根据产业节奏，预计2027至2028年将进入快速放量阶段。

具体来看，预计到2030年，半导体新增的钼需求约334吨。与全球近30万吨的钼供给总量相比，这点量确实不算什么。但对比现有的高纯钼粉产能（约5000吨/年），这却是一块实实在在的增量蛋糕。

图：AlphaClaw总结

更关键的是，全球真正通过三星、SK海力士等头部存储厂商认证的供应商不超过3到5家。这直接导致半导体级钼的定价逻辑将与大宗商品钼铁脱钩，走向高溢价模式。

所以，“以钼代钨”的真正逻辑不是总量冲击，而是高纯溢价 + 供给认证壁垒。

（4）供给弹性较低，钼价有望持续上行

从供给端看，全球钼供给约40%来自南美铜矿的伴生矿（秘鲁、智利），25%至30%来自中国独立钼矿，其余来自北美。

这里存在一个结构性问题：伴生矿的钼产量取决于铜矿主矿的开采计划，与钼价本身无关。这使得钼的供给弹性从根本上显著低于大多数有色金属。

具体数据：2026年1至4月，秘鲁地区（全球产量约10%）因能源紧缺，中国从秘鲁进口的钼精矿同比下滑16%。同期，南美铜矿主矿商下调了2026年铜产量指引，这直接传导至伴生钼产量。

再看2026至2028年这个时间段，几乎没有显著的新增产能投放。主要寄托在两个超大型项目上：

• 沙坪沟钼矿：亚洲最大钼矿，资源量210至246万吨。金钼股份持有34%权益，2025年完成环评，预计2029年投产，满产后权益年产约7500吨钼金属。
• 曹四夭钼矿：同样要等到2028年后才能释放产能。

从需求侧看，传统钢铁领域保持稳健，再加上半导体带来的新增量，机构普遍判断，钼价有望突破2022年创下的高点（6500元/吨度）。

图：AlphaClaw作图

（5）市场格局与重点标的

图：AlphaClaw作图

雅克科技：

• 已与SK海力士确定涨价，自7月1日起Mo前驱体普遍上调20%以上。以海力士为标杆，其他客户（三星、YMTC、CXMT）有望跟进。
• 已为三星、海力士配套研发多年，质量评估和审厂正在陆续展开。
• 配套的固态前驱体用SFS传输设备，已完成国内第一台样机。
• 当前Mo前驱体收入规模确实较小，但一旦SK海力士/三星验证通过并进入量产采购，叠加涨价因素，Mo前驱体有望在2027至2028年贡献数亿元营收增量，利润弹性很高。

其他值得关注的标的见下表：

图：AlphaClaw总结

注：本报告仅供学习公司及产业链知识使用，不构成任何投资建议。