铠侠最近推出了重磅消息。就在市场对AI存储需求还能持续多久议论纷纷之际，这家公司不仅展示了新一代闪存芯片，其CEO还在发布会上释放出积极信号，直接提振了股价。

铠侠控股在周四正式宣布，已开始向AI数据中心客户提供其第十代BiCS FLASH 3D NAND芯片样品，并计划于2027年在日本北上的工厂启动量产。这款产品是铠侠目前技术规格最高的闪存解决方案，存储密度相比上一代旗舰产品提升了约60%，数据传输速率达到4.8Gbps，比前代快了大约30%。

更令市场关注的是，铠侠首席执行官Hiroo Ota在媒体活动上直言不讳地表示：“我们没有看到数据中心需求减弱的迹象。”他还进一步强调，公司将“坚定回应市场增长”，这几乎是在明示不排除继续增加资本支出的可能性。这番言论，直接回应了市场对AI存储需求持续性的核心疑虑。

此外，Hiroo Ota还指出一个更长远的逻辑：随着AI智能体的兴起以及AI技术在机器人等领域的应用普及，闪存市场的增长空间将进一步被拓宽。

随着新品发布与CEO的坚定表态，铠侠股价当天上演了惊心动魄的深V行情——盘中一度重挫逾12%，随后强势反转，最终涨幅扩大至逾10%。今年至今，铠侠股价的累计涨幅已超过680%，市值更是跃升至日本上市公司的前列。

第十代芯片：技术路线差异化，剑指超大规模数据中心

根据报道，本次送样的BiCS 10芯片采用了332层堆叠架构，并搭载了铠侠自主研发的CBA（CMOS直接键合阵列）技术。单颗容量为1Tb TLC存储器件，将用于固态硬盘产品。

值得注意的是，铠侠在层数选择上刻意与竞争对手走出了差异化路线。据EE Times Japan报道，铠侠存储业务部门总经理Atsushi Inoue解释了一个关键点：当堆叠层数超过400层时，读写操作中被激活的存储层会增多，反而导致功耗上升。同时，更薄的存储单元层可能会降低电荷保持能力，影响长期可靠性。

那么，当堆叠层数超过一定限度时，会发生什么？

铠侠给出的答案是：332层设计相比400层以上的方案，每GB成本大约能降低10%，功耗效率提升约10%，而存储单元的可靠性则提高了约35%。作为这一切的支撑，CBA技术的持续应用让铠侠在接口速度上保持了领先。从第八代引入CBA技术后，接口速率已从3.6Gbps提升到了4.8Gbps。根据EE Times Japan的估计，这一技术优势让铠侠在进程上领先竞争对手大约一年。

BiCS 10将在铠侠位于日本岩手县北上工厂的第二座晶圆厂投产，该厂已于去年9月正式投入运营。

市场份额承压，数据中心是突围关键

尽管技术实力获得了市场认可，一个不争的事实是，铠侠在数据中心NAND市场的份额，仍然明显落后于其韩国对手。根据市场研究机构Omdia分析师Akira Minamikawa的估算，2025年三星电子在数据中心闪存市场的份额大约在40%左右，SK海力士约30%，而铠侠仅占约10%。

韩国厂商的一大优势在于，它们能够将NAND存储芯片与高带宽内存（HBM）捆绑销售。借助HBM业务已建立的销售渠道，可以轻松向超大规模数据中心客户提供一站式供货。而铠侠目前没有HBM产品线，这在一定程度上制约了其在数据中心市场的渗透。

不过，分析师Minamikawa对铠侠的技术竞争力给予了正面评价。“铠侠的NAND芯片在数据处理速度方面明显优于竞争对手，而这正是美国超大规模数据中心最看重的指标，”他表示，“第十代芯片在这方面实现了重大突破，竞争力非常强。”

韩国对手加速扩产，行业竞争格局趋紧

铠侠这边在推新品，那边的韩国竞争对手也没闲着，正在加速布局产能。

据韩国朝鲜Biz报道，SK海力士在7月2日宣布，计划在清州投资总计100万亿韩元，其中80万亿韩元将专门用于M17 NAND生产设施。SK海力士CEO Kwak Noh-jung表示，NAND的需求正在快速增长，而供给仍然偏紧。M17工厂的建设计划将于明年启动，目标在2029年上半年投入运营。

与此同时，据The Bell今年4月的报道，三星电子也计划在其平泽园区的P5工厂新建一条NAND生产线，洁净室预计明年完工。如果计划落实，这将是三星自P3工厂以来，首次大规模扩充NAND产能。

三大厂商几乎同步扩产，难免让市场对未来供需平衡以及价格走势的担忧有所升温。这也是为什么铠侠股价此前承压的重要背景之一。

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