TrendForce集邦咨询于7月3日公布了最新存储器价格调查结果。整体而言，2026年第三季度，DRAM市场仍处于供应严重短缺状态，但市场格局正悄然转变。消费级应用需求出现下修，加之去年同期基数已处于高位，尽管合约价格持续上涨，但涨幅已明显放缓。数据显示，预计本季DRAM合约价季度环比增速约在13%至18%之间。
NAND Flash方面，核心需求依然由AI推理与数据中心建设驱动。然而，合约价已攀升至历史高位，消费端客户在需求趋缓背景下，对价格的承受能力已接近极限。因此，整体NAND Flash合约价预计季度环比增长10%至15%，与前几季相比，涨幅显著收窄。
各细分市场的表现则呈现出显著差异。
PC DRAM：第三季度，PC OEM厂商的库存回补需求仍将支撑采购活动，但随着笔记本整机库存进一步消化高成本原材料，整机渠道价格全面上涨难以避免，这将对全年出货量造成影响。原厂方面，虽按与PC OEM和模组厂约定的2026年供应量逐季交货，但厂商持续将产能转移至服务器应用，导致PC DRAM供应规模受到压缩。
智能手机：第三季度，智能手机品牌为平衡高企的LPDRAM成本，只能上调终端售价。然而，涨价对终端销售显然不利。在生产计划与采购策略趋于保守的前提下，LPDRAM需求可能进一步下滑。不过，原厂考虑到AI领域需求，正重新调整产出比重，预计LPDRAM供给仍将紧张，合约价上涨趋势有望维持。
显存：英伟达RTX PRO 6000 Blackwell未能如预期带动GDDR7新一轮拉货需求，加之笔记本整体出货量下修，导致GDDR6与GDDR7需求双双偏弱。另一方面，原厂灵活地将产能调配至其他主流产品，因此整体供给依然紧缺。受此影响，GDDR6与GDDR7报价跟随主流DRAM同步上涨。
客户端SSD：PC OEM厂上半年已提前备货充足，且终端市场基本仅靠商用机型支撑，导致OEM整机库存偏高。在此背景下，他们对接受新一轮涨价的意愿显著降低。原厂为保障出货顺畅，也开始策略性调整报价态度，买卖双方进入拉锯状态，合约价涨幅自然受到压缩。
企业端SSD：买方方面，受CPU缺货及原厂扩大产能供应影响，库存逐渐累积。原厂方面，随着英伟达Vera Rubin平台逐步出货及消费级需求疲软，供给也在逐步增强。不过，受内部DRAM产能短缺影响，小容量与高速度产品的供应依然紧张，整体价格仍维持上涨态势。
最后关注智能手机存储芯片市场。据报告信息，智能手机品牌厂在2026年上半年已提前完成大部分新机的生产与备货。下半年，除旗舰机型UFS 4.0仍有刚性升级需求外，中低端产品的备货动能相当低迷。整体需求转弱，过去产能被严重压缩的eMMC和UFS，在第三季度反而显得供给相对充足。受OEM追价能力减弱与需求疲软影响，卖方议价能力受限，导致eMMC与UFS合约价涨势趋于平缓。
