罗姆第4代SiC MOSFET释放卓越性能优势

近日，上汽大众与臻驱科技联合开发的基于碳化硅（SiC）技术的首款“三合一”电桥成功完成试制。相比传统电桥产品，这款SiC方案在能耗控制上表现极为亮眼——每百公里可节省0.645kW·h电能。根据上汽大众在ID 4X车型上的实测数据，搭载SiC电桥后整车续航里程较传统IGBT方案提升了4.5%。SiC电桥的技术优势显而易见，但作为新兴技术，SiC电控系统仍需攻克几个关键难题：例如SiC模块的本体结构设计，以及高速开关引发的系统EMC兼容性问题。值得关注的是，臻驱科技此次试制的“三合一”电桥，核心采用了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片，充分挖掘了碳化硅器件的性能潜力。

罗姆于2020年成功开发的第4代SiC MOSFET，在不牺牲短路耐受时间的前提下，实现了业界领先的超低导通电阻。用于车载主驱逆变器时，其效率显著高于IGBT方案，这对于延长电动汽车续航里程、减少电池用量以及降低整车制造成本，均具有切实的积极意义。

与罗姆第3代SiC MOSFET相比，第4代产品的导通电阻进一步降低。测试数据显示，在芯片尺寸相同且不牺牲短路耐受时间的条件下，罗姆采用优化后的双沟槽结构，将MOSFET的导通电阻降低了约40%，传导损耗也随之大幅下降。此外，从RDS(on)与VGS的关系曲线来看，第4代SiC MOSFET在栅极电压处于+15V至+18V区间时，曲线梯度更加平缓——这意味着其驱动电压范围可拓宽至15V-18V，提升了应用的灵活性。

NVIDIA CEO发布Hopper架构与H100 GPU

在NVIDIA GTC大会主题演讲中，黄仁勋接连发布了多款新型芯片，包括Hopper GPU架构与H100 GPU，同时推出了AI与加速计算软件，以及强大的数据中心级系统。黄仁勋身处由NVIDIA Omniverse实时3D协作与模拟平台构建的虚拟环境中，生动描绘了AI如何在各行各业“全面开花”——企业正积极处理、完善数据，构建AI软件，逐步迈向智能制造商。Omniverse将成为这一切变革的汇聚中心，加速人与AI之间的协作，更精准地塑造和认知真实世界，并成为新型机器人技术的试验场，推动“下一波AI”浪潮的演进。

研华DeviceOn/BI通过工业案例评审

近日，工业互联网产业联盟（AII）公布了2021年工业APP应用案例评选名单，研华DeviceOn/BI设备管理及业务整合平台顺利通过专家评审。该平台集成了多项核心关键技术，借助实时监控、运营优化与维护管理，助力企业实现业务数字化的无缝转型，为各行业提供全方位的工业物联网解决方案，提升企业核心竞争力。目前，该方案已在智慧水务、污废水处理、石油化工及厂务环境设施等领域成功落地，提供从云端到中台再到终端的全栈一体化解决方案，为各行业构建数字化运维生态系统提供有力支持。