HBM3 IP解决方案可为高性能计算、人工智能（AI）及图形SoC提供高达921GB/s的内存带宽——这项指标本身就体现了其关键价值。对于2.5D多裸晶芯片系统而言，内存带宽长期是性能瓶颈，而HBM3的到来正在彻底改变这一局面。

加利福尼亚州山景城2021年10月22日 /美通社/ --

要点

• DesignWare HBM3控制器、PHY和验证IP能够降低集成风险，大幅提升2.5D多裸晶芯片系统的内存性能
• 低延迟HBM3控制器支持灵活配置选项，有助于增强内存带宽
• 在5纳米工艺下，预硬化或可配置HBM3 PHY的工作速率达7,200 Mbps，数据速率是HBM2E的2倍，功率效率提升60%
• 面向ZeBu和HAPS的验证IP与内存模型提供端到端解决方案，加快从IP到SoC的验证收敛速度
• 新思科技的3DIC Compiler是一个集成式多裸晶芯片设计与分析平台，提供全面的HBM3自动布线方案，支持快速稳健的设计开发

新思科技近日推出了业界首个完整的HBM3 IP解决方案，包含控制器、PHY和验证IP，专为2.5D多裸晶芯片封装系统设计。HBM3技术的核心价值在于：它使开发者能够满足高性能计算、AI和图形应用中SoC对高带宽、低功耗内存的严苛需求。这套方案基于经过硅验证的HBM2E IP，并充分利用新思科技在中介层方面的技术积累，最终实现了高达921GB/s的内存带宽——这个数字直接决定了数据密集型应用的用户体验上限。

在验证方面，新思科技提供了完整的闭环方案：验证IP自带覆盖率和验证计划，ZeBu仿真平台具备现成的HBM3内存模型，HAPS原型验证系统也能实现无缝对接。这样一来，从IP级验证到SoC级验证的收敛效率显著提升。此外，3DIC Compiler多裸晶芯片设计平台提供了从架构探索、实施到系统级分析的完整工具链，这对加速HBM3系统设计落地至关重要。

控制器IP支持多种基于HBM3的系统配置，灵活性很高。它在延迟优化方面表现出色，同时通过纠错码（ECC）、刷新管理和奇偶校验等RAS特性保障数据完整性——在高性能计算场景中，这些特性直接决定了系统的可靠性。

PHY IP采用5纳米工艺，提供预硬化版本和可配置版本两种选择。每引脚运行速度最高达到7,200 Mbps，功耗效率相比HBM2E提升60%，还支持四个有效工作状态实现动态频率调节。值得一提的是，PHY利用优化的micro bump阵列缩小占位面积，同时支持更长的中介层绕线长度，这意味着开发者在安排PHY位置时拥有更大的灵活性，而不必牺牲性能。

验证IP基于新一代原生型SystemVerilog UVM架构，能够轻松集成到现有验证环境中，同时支持更多测试运行，缩短首次测试时间。ZeBu仿真和HAPS原型验证系统上的现成HBM3内存模型，则使RTL和软件验证能够实现更高的性能水平。

新思科技营销和战略高级副总裁John Koeter对此表示：“我们持续满足数据密集型SoC的设计和验证要求，为HBM3、DDR5和LPDDR5等领先协议提供高质量的内存接口IP和验证方案。完整的HBM3 IP和验证解决方案让开发者能够依赖同一家供应商，满足对带宽、延迟和功耗不断增长的需求，同时加速验证收敛。”

新思科技的DesignWare IP组合覆盖逻辑库、嵌入式存储器、PVT传感器、嵌入式测试、模拟IP、接口IP、安全IP、嵌入式处理器以及子系统。配合“IP Accelerated”计划提供的原型设计套件、软件开发套件和IP子系统，能有效加速原型设计、软件开发以及IP集成。在IP质量和全面技术支持上的持续投入，也帮助开发者降低了集成风险，缩短了产品上市周期。

客户和合作伙伴证言

美光公司高性能存储器和网络业务副总裁兼总经理Mark Montierth表示：“美光致力于为世界上最先进的计算系统提供业界性能最佳的解决方案。HBM3所提供的内存带宽对实现下一代高性能计算、人工智能和百万兆级系统至关重要。我们与新思科技的合作将加速HBM3产品生态系统的发展，以实现前所未有的超高带宽、功耗和性能。”

三星电子内存产品规划高级副总裁Kwangil Park表示：“在数据驱动的计算时代，AI、高性能计算、图形等应用的发展极大提高了对内存带宽的需求。作为世界领先的内存芯片制造商，三星一直致力于支持生态系统的形成，并开发HBM以满足所有应用不断增长的带宽需求。新思科技是HBM行业的生态系统先驱，也是三星的重要合作伙伴。我们期待与新思携手继续为客户提供更好的HBM性能。”

海士力（SK hynix）副总裁、HBM产品负责人兼DRAM设计主管Cheol Kyu Park表示：“作为全球领先的半导体制造商，海士力不断投资开发包括HBM3 DRAM在内的下一代内存技术，以满足AI和图形应用工作负载的指数式增长。与新思科技建立长期合作关系，有助于我们为共同客户提供经过全面测试和可互操作的HBM3解决方案，以提高内存性能、容量和吞吐量。”

Socionext数据中心和网络业务部门副总裁Yutaka Hayashi表示：“Socionext与行业领先合作伙伴新思科技携手合作，为我们在广泛市场的共同客户提供全面解决方案。基于新思科技在5纳米制程方面的HBM2E IP和集成式全系统多裸晶芯片设计平台，我们与新思科技的合作将得以扩展，包括最新的DesignWare HBM3 IP和验证解决方案，从而协助客户在基于HBM3规范的SoC上实现更高的内存性能和容量。”

供货情况和资源

新思科技DesignWare HBM3控制器、PHY和验证IP以及ZeBu仿真内存模型、HAPS原型设计系统和3DIC Compiler目前已有现货供应。