2021年10月，SK海力士扔出了一颗重磅冲击波——业界首次成功开发出当前规格最强的HBM3 DRAM。这意味着什么？简单说，在高性能存储这条赛道上，他们又抢先了一步。

HBM3是第四代高带宽存储器技术，把多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，通过内部互联大幅提升数据处理速度。回顾一下HBM的演进路线：第一代HBM、第二代HBM2、第三代HBM2E，再到今天的HBM3，每一代都在带宽和容量上实现跨越。值得一提的是，SK海力士去年7月才刚刚率先量产HBM2E DRAM，仅隔了15个月就拿出HBM3，这个节奏确实够快，也进一步巩固了他们在这一市场的领导地位。

这次HBM3的性能提升相当可观。每秒可处理819GB数据——什么概念？相当于一秒钟内传输163部全高清电影，每部按5GB算。相比上一代HBM2E，速度提升了大约78%。除了快，可靠性也上了一个台阶：产品内置了片上ECC校验（On Die-Error Correction Code），DRAM单元出现数据错误时可以自行修复，这对数据中心和关键应用场景至关重要。

容量方面，HBM3将提供16GB和24GB两个版本。其中24GB是业界目前最大的单颗容量。为了实现这个目标，技术团队把单个DRAM芯片的厚度磨削到大约30微米——只有A4纸厚度的三分之一左右，然后用TSV（硅通孔）技术垂直连接12个芯片。TSV技术就是在DRAM芯片上打出数千个微孔，用垂直贯通的电极把上下芯片连起来，工艺难度可想而知。

这款HBM3将主要面向高性能数据中心，尤其适合机器学习、气候变化分析、新药研发等需要超级计算机的场景。SK海力士DRAM开发负责人车宣龙副社长表示，公司从推出全球首款HBM DRAM开始，一直引领HBM2E市场，现在又在业界率先开发出HBM3。接下来，他们要在高端存储器市场继续巩固领导力，同时提供符合ESG经营理念的产品，最大程度提升客户价值。