《科创板日报》7月4日消息，当地时间7月3日，铠侠（Kioxia）正式宣布其第十代BiCS FLASH 3D NAND闪存芯片已开始送样。这意味着，距离该产品的量产又迈出了关键一步。

据日经新闻报道，铠侠计划于2027年启动量产。这款第十代NAND闪存是铠侠有史以来技术规格最高的产品，主要面向数据中心级固态硬盘，专门针对AI存储需求的爆发式增长而设计。生产将在铠侠位于日本岩手县北上工厂的Fab2进行，该工厂配备了最先进的制造设备。

那么，这款第十代NAND闪存究竟强在哪里？铠侠介绍，通过采用CBA（CMOS直接键合阵列）技术和OPS（间距选择栅极漏极）技术，新品的NAND接口速度达到4.8Gb/s，相比第八代性能提升33%。此外，通过堆叠332层并提升横向密度，位密度提升了59%——需要说明的是，这里指的是存储芯片本身的密度，而非用户实际可用的容量。同时，写入和读取的功耗效率分别提升了18%和30%，对于数据中心和企业级基础设施而言，这能显著降低电力成本。

铠侠5月15日发布的财报指引也印证了市场的火热。受AI产业普及带动，数据中心存储需求持续高景气，公司预计2026财年第二季度（4-6月）合并营业收入同比增长410%，达到1.75万亿日元；营业利润同比暴涨2791%，达到1.298万亿日元；净利润同比飙升4649%，录得8690亿日元。三项指标均将刷新历史纪录，增长势头十分强劲。

对于NAND闪存行业的前景，铠侠判断：2026年行业增速预计在15%至19%之间，而到2027年，市场将进入供不应求的阶段。在6月25日的股东大会上，铠侠总裁兼CEO Hiroo Ota透露，已收到大量客户希望签订长期协议（LTA）的请求。他认为，NAND闪存业务的核心在于AI，尤其是推理AI带来的需求。随着AI智能体的崛起以及AI技术在机器人等领域的普及，闪存市场的扩张空间将进一步扩大。

铠侠推出新品的同时，韩国厂商也在加紧扩产。

SK海力士7月2日宣布，计划在忠清北道清州市投资100万亿韩元进行大规模扩产。其中，明年将启动全新晶圆厂“M17”的建设，预计到2029年前，仅NAND闪存芯片生产就要投入80万亿韩元（约合514.6亿美元）。

三星电子也不甘落后，计划在平泽园区P5工厂新建一条NAND生产线，洁净室预计明年完工。如果该计划落地，将是三星自P3工厂以来首次大规模扩充NAND产能。

不过，消费端行情则不那么乐观。机构预计，NAND闪存的涨价幅度可能放缓。根据TrendForce集邦咨询的最新存储器价格调查，2026年第三季度，NAND Flash的主要需求仍来自AI推理和大型数据中心建设。然而，合约价格已飙升至历史高位，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格的承受能力已接近极限。因此，预估整体NAND Flash合约价将季增10%至15%，相比前几个季度，涨幅明显收窄。