三星电子在AI内存领域再次传来最新动态。7月1日，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长在一次内部经营说明会上披露，HBM4E的可靠性测试良率已成功攀升至70%以上。众所周知，业界通常将80%以上的良率视为工艺成熟的“稳定良率”标准，而当前HBM4E仍处于可靠性测试阶段——70%以上的表现，意味着开发进程正式迈入稳定区间，距离成熟量产仅剩最后一步。
与此同时，该负责人还在同一场合公布了另一项重大进展：下一代10纳米级第七代DRAM工艺（内部代号D1d）在技术竞争力方面已实现对竞争对手的领先。按照既定规划，该工艺将于今年11月完成生产准备认证（PRA）。这表明三星正在下一代DRAM赛道上全力加速冲刺。
