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联想警示内存价格新常态源于供应受限非AI需求

类型:热点整理2026-06-30
联想指出DRAM与NAND高价格已进入新常态,预计持续至2030年后。此轮涨价核心动因并非AI需求,而是头部厂商供给管控及HBM产能挤占导致传统DRAM结构性短缺,三大厂商达成供给管控共识,不再盲目扩产。
联想最近抛出了一个相当直白的判断:DRAM和NAND的高价,早已不是短期波动,而是正式进入了“新常态”。这个态势大概率将延续至2030年以后,价格想要回到2025年初的水平,基本已成奢望。而真正驱动这轮涨价的,并非我们常挂在嘴边的AI需求拉动——核心逻辑其实是头部厂商的供给管控,再加上HBM产能的挤占效应,把传统DRAM的供给逼入了一个结构性短缺的境地。 ![](http://img.318050.com/uploads/20260629/17827074486a41f4f8e9761199791708.webp) 先来看几个硬核数据,感受一下这轮周期的“烈度”。 2026年第一季度,DRAM合约价格环比直接飙升了90%到95%,整个DRAM市场规模环比增长80%,同比更是暴涨260%。注意,这轮营收增长完全由价格驱动,出货量几乎纹丝未动。三星方面,从2025年9月开始,DRAM挂牌价累计上调了大约60%;到2025年底,DRAM价格相比上年同期已经高出将近两倍。到了2026年第一季度,三星和SK海力士的传统DRAM平均售价,环比分别上涨了45%到50%和50%到60%。 这还不是全部。预计到2026年,HBM产能将占全球DRAM晶圆总产能的25%左右,而且HBM需求的同比增速依然能维持在70%上下。一个关键的换算比例是:HBM与DDR5的晶圆产能换算比为3比1——这意味着,每挤出一份HBM产能,就要牺牲掉三份DDR5的产能。这就像一场“产能罗生门”,而SK海力士的大手笔也印证了这一点:2026年资本支出超过30万亿韩元,未来五年计划让晶圆产能翻倍,新增产能几乎全部投向HBM。 再来看美光的最新财报,简直可以用“炸裂”来形容:营收同比增长167%,环比增长74%,毛利率72.6%,营业利润率65.6%,投入资本回报率58.6%。过去12个月,自由现金流262亿美元,同期资本支出253亿美元。反映到股价上,今年以来累计上涨297%,过去120天涨幅约259%,当前股价1132美元,滚动市盈率25.3倍。这组数据说明什么?说明整个行业已经进入了一个正向循环,而且这个循环的驱动力,早已不再是传统的需求爆发。 那么,这一轮存储周期的核心逻辑到底是什么?过去我们讲存储周期,基本都是由需求主导——需求一上来,产能跟不上,价格暴涨;需求一下去,库存积压,价格暴跌。但这次不一样了。本轮周期的底层逻辑,是三星、SK海力士、美光这三家头部厂商达成的“供给管控共识”。他们不再盲目扩产抢份额,而是通过主动控制传统DRAM的产出,同时把资源向HBM等高利润率产品倾斜,来锁定价格和利润。HBM的高利润率,又反过来进一步固化了这个正向循环。 现在行业里最大的争议点在于:HBM的产能换算规则,加上先进制程的成本特性,会不会让传统DRAM扩产的经济效益降到极低?如果答案是肯定的,那厂商就会更倾向于“保利润率”而不是“抢市场份额”。这才是判断高价格局能否长期维持的关键所在。 换句话说,投资者现在真正需要跟踪的,不是AI需求数据到底有多猛,而是三大厂商在传统DRAM扩产上的“克制程度”,以及资本支出究竟投向了哪里。只要他们继续默契地控制传统DRAM的供给,这个“新常态”就很难被打破。需求端的波动,在这一轮周期里,或许已经不是主角了。
来源:https://finance.sina.com.cn/stock/usstock/summary/2026-06-29/doc-iniezxcc0323494.shtml

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