在夏威夷圆满闭幕的2026年IEEE/JSAP VLSI技术与电路研讨会上，三星正式公布了其下一代NAND闪存的全景路线图。据Wccftech现场报道，这家存储巨头计划在2030年左右推出900至1000层堆叠的SSD——这一目标在几年前几乎难以想象。
具体而言，三星的演示幻灯片展示了一条清晰的演进路径：2029年计划推出420层NAND闪存方案，2030年进一步升级至560层以上。随后，在下一个十年之初，层数将直接翻倍，达到1000层以上的产品，专门面向高容量存储应用。
路线图中还重点展示了900至1000层的中间过渡方案，其核心技术是CMB（单元多重键合）。简单来说，该技术将两组450层单元封装在同一颗芯片内，通过垂直堆叠实现层数翻倍。这项技术带来的直接收益非常显著：原本8TB的QLC M.2 SSD可一跃提升至32TB。也就是说，未来一块普通M.2固态硬盘的容量，足以匹敌今天多块企业级硬盘的总和。
当然，层数堆叠并非喊口号就能实现。三星坦诚指出了量产中的两大主要障碍：晶圆翘曲与层间对准误差。随着层数增加，晶圆在制造过程中容易发生形变，而每层之间的微小偏移可能累积成为致命缺陷。为解决这些问题，三星计划引入Upper Chuck Design方案以控制翘曲，同时采用Overlay Correction（叠对校正）技术降低错位风险。
从这份路线图可以看出，三星的野心远不止于层数数字的竞争，更希望通过CMB连接技术与纠错技术的组合，让高容量存储从企业级市场真正下沉到消费级设备。可以预见，当1000层NAND闪存正式落地时，整个存储行业的容量和成本结构都将迎来一场彻底的改写。
