在AI芯片性能竞赛持续升温的当下，先进封装技术已成为决定算力上限的关键环节。近日，行业分析师对台积电最新公开的玻璃核心基板技术进行了详细解读，指出这项技术并非简单的优化选项，而是下一代AI芯片制造的必要条件，直接关系到芯片能否顺利制造并满足高端性能需求。

该技术源自台积电近期在日本展会上的技术分享，其核心在于三层结构设计，将玻璃芯层置于两层ABF积层之间。这种结构带来的直接优势是：玻璃基板厚度变薄，使得穿玻璃通孔的垂直导通路径大幅缩短，从而让导通电阻与回路电感同步降低，电源完整性得到显著改善，最终为芯片提供更稳定的供电系统。

技术定位与核心壁垒

分析指出，在CoPoS体系中，CoP主要影响生产效率与成本，属于优化选项；而oS则直接决定芯片能否成功制造，是必须具备的核心技术。目前测试基板规格为250×250毫米，ABF积层采用特定混合材料，层数达24至28层。其中，穿玻璃通孔是最核心的技术壁垒，由台积电与合作伙伴共同掌握。

经济效益与产业进展

尽管玻璃基板单价远高于传统ABF基板，但其成本仅占AI芯片整体物料清单的低个位数百分比。关键优势在于，它能大幅降低封装不良导致的良率损失，整体经济效益十分显著。据悉，英伟达及另外两家美系芯片巨头已对该技术展现出浓厚兴趣，因为电源完整性的改善能够直接转化为AI算力提升，满足下一代高端芯片的性能需求。

根据规划，台积电目标在2028年第四季度至2029年第一季度启动玻璃基板量产，以配合英伟达等巨头下一代AI芯片的迭代节奏。目前，产业链正加速推进相关验证工作，为未来大规模应用做好充分准备。