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HBM爆发式增长 全链网存储价格持续看涨

时间:2026-06-16 18:36
受AI驱动,人工智能资本开支加速,2026年或将接近万亿美元。高带宽存储器(HBM)爆发式增长,全球三大厂产能售罄,供不应求。DRAM内存价格2026年预计上涨125%,NAND闪存价格同样暴涨234%。存储芯片已从周期商品转变为战略资源。

全球科技巨头AI资本开支加速,2026年有望迈入万亿美元时代

在AI大模型与相关应用持续渗透的背景下,全球科技巨头的资本开支正进入高速扩张期。据太平洋证券发布的电子行业深度报告显示,六大科技巨头2025年的资本开支合计已超过3500亿美元,而到2026年,这一数字预计将直接突破8000亿美元。更值得关注的是,随着算力需求的指数级增长,资本市场普遍预期全球AI资本开支将在不远的将来迈入近万亿美元的新纪元。这一趋势不仅反映了头部企业对AI基础设施的坚定投入,也预示着整个半导体产业链将迎来新一轮的结构性红利。

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资本开支上升通道清晰,大模型应用持续驱动

报告指出,当前资本开支的上升通道依然清晰,远未触及天花板。核心驱动力来自两方面:一是大模型训练与推理对算力的贪婪需求,二是AI应用从云端向边缘端、终端设备的快速蔓延。以微软、谷歌、亚马逊、Meta、苹果、英伟达等为代表的科技巨头,其资本支出计划中AI相关占比已显著提升。这种“军备竞赛”式的投入,正在重塑半导体行业的供需格局。

  • 2025年六大巨头资本开支合计:超过3500亿美元
  • 2026年预期资本开支:突破8000亿美元
  • 长期趋势:AI资本开支有望进入万亿美元级市场

HBM爆发式增长:供不应求格局延续,存储价格大幅上行

如果说AI资本开支是宏观引擎,那么HBM(高带宽存储器)就是这场变革中最为核心的零部件之一。报告明确表示,存储价格的上行区间已经基本确认,2026年HBM市场预计仍将维持高两位数的增速。目前全球三大HBM厂商(SK海力士、三星、美光)的产能已全部售罄,供不应求的局面在短期内很难得到缓解。这种紧平衡状态,直接推动了DRAM和NAND价格的惊人涨幅。

DRAM与NAND价格涨幅创历史纪录

据Gartner统计,2026年DRAM价格将上涨125%,NAND价格将上涨234%。如此夸张的涨幅,背后是AI服务器对高带宽、低延迟存储的刚性需求,以及传统消费电子市场复苏带来的叠加效应。多位行业分析师认为,这种供应紧张的状态有望持续较长一段时间,甚至可能延续到2027年。

  • DRAM价格涨幅:125%(2026年预期)
  • NAND价格涨幅:234%(2026年预期)
  • HBM三大厂产能全部售罄,供不应求格局明确

存储芯片:从周期商品到战略资源,AI半导体占比揭示深层变革

一个更深层的变化正在发生:存储芯片正在从传统的周期商品,转变为一种战略资源。长期以来,存储芯片的价格波动主要受供需周期影响,被视为“跟着景气度走”的配角。但如今,AI半导体占总收入比例已达到30%,这意味着存储不再仅仅是“容量”的提供者,而是AI基础设施中的硬通货。尤其是在HBM领域,其价值不仅体现在容量上,更体现在带宽、功耗、堆叠层数等技术与工艺壁垒上。

SK海力士竞争优势明显,市场份额约60%

从HBM的竞争格局来看,SK海力士依然占据先发优势,市场份额大约在60%左右,领先地位稳固。这得益于其在TSV(硅通孔)工艺、先进封装以及客户协同上的长期积累。三星电子和美光虽然在加速追赶,但短期内难以撼动SK海力士的主导地位。这种寡头格局也意味着,未来存储芯片的定价权将进一步向头部厂商集中。

  • SK海力士HBM市场份额:约60%
  • AI半导体占总收入比例:已达30%
  • 存储芯片角色转变:从周期品到战略资源

行业展望:投资启示与风险提示

综合来看,AI驱动的存储超级周期已经开启。对于投资者和产业参与者而言,以下三点值得重点关注:

  • 关注HBM产业链核心标的:包括SK海力士、三星、美光以及相关设备、材料供应商。
  • 重视存储价格上行带来的业绩弹性:DRAM和NAND价格翻倍上涨,将直接增厚存储厂商的利润。
  • 警惕周期性回落风险:尽管当前供不应求,但若AI资本开支节奏放缓或产能扩张超预期,存储价格可能出现阶段性回调。

从更宏观的视角看,AI与存储的深度融合正在定义下一代计算基础设施。随着大模型从训练走向推理、从云端走向边缘,对HBM及高带宽存储的需求还将持续提升。太平洋证券的这份报告,无疑为市场描绘了一幅清晰的蓝图:近万亿美元的资本开支、翻倍的存储价格、以及战略资源的属性重估,三者共同构成了未来数年半导体行业最具确定性的增长主线。

来源:https://www.allfinanz.cn/GameFi/126257.html
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