据韩媒 THE ELEC 于6月11日报道，SK海力士最新的3D NAND闪存路线图曝光：继V9 321层产品之后，下一代V10世代将采用375层堆叠设计，而非此前行业内普遍预期的400层。消息指出，SK海力士V10 NAND已完成生产验证，正逐步转入量产阶段，目标是在2026年内通过现有产线的制程升级实现大规模出货。
为何从400层调整至375层？业内人士分析指出，400层堆叠虽然能够带来更高的存储密度，但量产难度也随之显著增加。在技术可行性与交付时间之间，SK海力士最终选择了更为务实的375层方案。不过这并不意味着其放弃了更高目标——同一消息源透露，未来还有480层、甚至604层的3D NAND正在规划之中。
技术层面的亮点在于金属布线层的材料升级。在V10 NAND中，部分字线（Word Line）将从传统的钨（W）切换为钼（Mo）。钼具有更低的电阻和更优的填充性能，有助于提升信号传输速度并降低功耗。在钼的沉积工艺上，SK海力士选用了成本更具竞争力的TEL（东京电子）炉式设备，从而在一定程度上控制新工艺的导入成本。
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