在COMPUTEX 2026台北国际电脑展上，存储半导体模组企业宏芯宇（HOSINGLOBAL）正式推出其自研的UFS 2.2嵌入式闪存主控芯片——HG2325。这款国产存储主控芯片的问世，标志着国产存储主控阵营迎来了一位实力不容小觑的新成员。
HG2325采用成熟的22nm制程工艺，内部集成大容量SRAM缓存，并搭载宏芯宇自研的4KB LDPC硬件纠错引擎。凭借这一组合，该主控芯片能够良好适配当前主流的3D TLC与QLC NAND闪存颗粒，闪存接口速率达到1600MT/s——在UFS 2.2定位上，这样的性能表现相当扎实且具备竞争力。
在兼容性方面，HG2325全面覆盖高通、联发科技、紫光展锐等主流SoC平台，容量规格横跨64GB至1TB，覆盖范围广泛。重点来看512GB版本：顺序读取速度可达1060MB/s，顺序写入速度达到975MB/s，这样的读写成绩对于UFS 2.2标准而言已属上乘，日常使用与数据吞吐均能胜任。
除了这款UFS 2.2主控芯片外，宏芯宇还在COMPUTEX 2026展台上展示了丰富的产品线，包括PCIe Gen5 x4企业级固态硬盘（eSSD）、DDR5-5600 RDIMM内存模组，以及车规级嵌入式闪存和固态硬盘。从消费级应用到车规级市场，宏芯宇的产业布局意图清晰而明确。