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英伟达新品内存缩水引发海内外存储股重挫

时间:2026-06-06 12:27
英伟达新一代VeraRubin平台被指CPU侧系统内存容量减半,引发海内外存储概念股大跌,但降配未涉及GPU核心HBM,属于弹性配置调整。市场对存储行业估值从周期股向AI基础设施切换,行业高景气度逻辑仍稳固。

证券时报记者 阮润生

英伟达新品被指内存容量“缩水” 海内外存储股应声重挫

先抛几个关键判断:2026年以来,存储上市公司市值一路攀升,市场正在尝试将存储资产从传统的“周期股”标签,重塑为“AI时代核心基础设施”。正当这一估值逻辑转换的关键时刻,海外调研机构SemiAnalysis发布研报,直指英伟达新一代Vera Rubin AI服务器平台存在内存配置缩减、成本下降的情况——消息一出,海内外存储概念股集体跳水。6月5日,SK海力士大跌9.92%,A股存储器指数下跌4%,佰维存储、江波龙、澜起科技等存储龙头股价纷纷回落。

但仔细拆解来看,此次所谓的“降配”,实际上仅限于CPU侧的系统内存,与GPU算力核心毫无关联。这更像是英伟达在供应链、功耗与成本之间做出的多重战略权衡。

内存容量“缩水” 引发市场担忧

综合各方报道,SemiAnalysis报告的核心观点是:英伟达正在调整下一代Vera Rubin NVL72机架系统的内存配置——原本Vera CPU配备的192GB SOCAMM方案,容量直接腰斩至96GB,降幅接近一半。

存储成本优化后,每台Vera Rubin NVL72机架的物料与制造成本将从760万美元降至680万美元,单台节省80万美元,成本节约幅度达10%。

然而,这份“减配”报告在市场引发轩然大波。当地时间6月4日,美光科技收盘大跌7.74%,盘前跌幅收窄至3.26%;英伟达则微涨1.94%。6月5日,SK海力士重挫9.92%,A股存储器指数跌约4%,佰维存储和江波龙跌幅均超8%,澜起科技、兆易创新、德明利等跌幅也超过7%。

随后,多份“纠偏”分析陆续浮现:报告提及的SOCAMM模组为可插拔设计,搭配的是Vera CPU侧系统内存,所谓容量“缩水”仅是阶段性弹性配置调整,并非永久性硬件降级。更重要的是,与GPU算力核心紧密相关的HBM,完全不受此影响。

事实上,英伟达已宣布NVIDIA Vera Rubin正全面迈向规模化量产。与上一代Grace Blackwell平台相比,新平台在大规模部署时,智能体吞吐量提升了10倍。

至于备受关注的英伟达新机价格,摩根士丹利此前发布报告指出:新一代Vera Rubin(VR200)机架约为780万美元,采购价比当前机型计划翻倍。其中,内存在物料成本中的涨幅高达435%,PCB、MLCC等成本也显著增加。

CIC灼识咨询董事总经理柴代旋此前向记者分析,英伟达下一代Rubin机架价格暴涨,核心原因在于AI硬件的物理瓶颈正从算力转向内存与互联。

行业估值逻辑生变

今年以来,全球存储赛道持续走强,行业估值逻辑已从“典型周期股”切换为“AI时代的基础设施资产”。

行情数据清晰呈现:本次回调之前,美光科技年内涨幅已达2.78倍,总市值迈入万亿美元大关;SK海力士股价涨幅超过2倍;三星电子涨幅也接近2倍。尤其是在5月下旬,瑞银大幅上调美光科技目标价,认为其已转型为“AI基础设施成长股”,不再适用传统周期股的低倍数折价逻辑,推动股价加速上涨。A股存储器指数在4月、5月连续实现约20%的涨幅。

在估值快速抬升的同时,行业交易拥挤度也在持续攀升。根据Wind统计的机构筹码集中度与大单追踪数据,三星电子和美光科技的估值拥挤度已达到较高水平。

在一定程度上,英伟达内存降配的消息成为了本轮调整的直接导火索。但实际上,年内存储行情已多次出现过类似回调。

今年3月,谷歌提出TurboQuant技术,可实现约6倍内存节省、推理速度提升8倍——相关消息同样引发市场对存储技术效率升级的关注,甚至带来替代存储需求的担忧,美光科技等公司股价一度连续回调。

针对AI存储技术的影响,江波龙副总裁、企业级存储事业部总经理闫书印曾向记者表示,行业内围绕AI存储效率优化的相关技术正持续探索,若能有落地突破,将降低部署门槛,进一步推动端侧AI应用场景的规模化普及。

行业景气度有望延续

相较于资本市场的短期情绪波动,存储市场长期的供需格局更值得关注。行业高景气度的逻辑依然稳固。有存储主控厂商预计,相关产品供不应求的状态有望持续到2027年。

佰维存储高管日前在股东会议上表示,存储涨价由AI算力需求爆发所引发。市场观点认为,供需缺口短期内难以缓解,存储市场有望持续景气。公司将持续跟踪后续存储行业发展趋势,受益于AI应用及Token调用的需求爆发,后续产品价格仍有上升空间。加之原厂已转向2027年及以后的产能锁定,公司也会持续关注后续价格走势。同时,公司存货采用移动加权平均法计价,整体成本变化相对平滑,产品价格随行就市,价格传导路径较为平顺。

报道显示,闪迪已签下多项最长达5年的长期供应协议。

据CFM闪存市场机构5月预测,2026年一季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达到1371.4亿美元,环比增长81.6%,同比增长245%,创下历史季度新高。

该机构此前也预计,存储产品价格已连续三个季度大涨,2026年第三季度开始涨幅将逐渐收敛,具体产品线上价格会有一定分化。

来源:https://www.163.com/dy/article/KUNILQO6053469RG.html
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