三星在COMPUTEX 2026亮出AI存储底牌：HBM4E首秀、HBM5的“烟囱”散热与2nm基片
近日的COMPUTEX 2026展会上，三星电子以“全方位解决方案”为主题，秀了一把全球存储芯片大厂在AI存储领域的统治力。AI算力需求越来越“热”，散热问题成了绕不开的坎。三星不仅首次公开展示了下一代HBM4E晶圆与芯片，还详细介绍了瞄准HBM5时代的神秘核心技术——HPB（Heat Path Block，导热块）架构。这标志着三星开始全力攻克高性能计算中最为棘手的“散热墙”难题。
HBM4E首秀：4nm与1c DRAM的融合
在展会现场，三星首次向公众展示了HBM4E晶圆及芯片实体。作为HBM4的增强版，HBM4E是三星综合实力的集中体现。据三星半导体介绍，这款产品采用了“混合结构”：底部的基础芯片（Base Die）由三星晶圆代工部门最新的4纳米制程打造，负责高速逻辑运算；上层则是通过最先进的1c DRAM制程制造的核心芯片（Core Die）。
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这种设计带来了惊人的性能提升。三星官方数据显示，HBM4E能够稳定支持每引脚（Pin）最高14Gbps的传输速度，未来规格将扩展至16Gbps，届时可实现最高4TB/s的超高带宽。此外，其单堆栈容量较前一代提升了30%以上，可根据客户需求提供32GB至64GB的配置。三星透露，已于今年5月底向全球主要客户交付了12层HBM4E样品，成为业内首家出货该产品的厂商。
跨入HBM5时代：HPB技术破解热难题
如果说HBM4E是性能的延续，那么三星首次展出的HBM5架构模型则预示着技术路线的变革。随着AI翻跟斗功率密度的飙升，传统的散热方案已难以应对下一代AI系统的需求。三星电子首席技术官宋载赫（Song Jae-hyuk）在展会上指出，在HBM5架构中，随着数据传输速度的进一步提升，位于基础芯片中的D2D PHY（芯片间互联物理层）已成为主要的发热源。
为了解决这一问题，三星独创了HPB（Heat Path Block）技术。据三星及权威媒体报道，HPB是一种集成在芯片封装内部的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比传统聚合物基材料高出约500至1000倍。
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“我们可以把它想象成一个‘烟囱’结构，”宋载赫解释称，“我们在D2D PHY区域单独开辟了一条独立的热传导路径，让热量能够像气流一样高效地向外疏导，而不是在芯片内部积聚。”这一设计显著降低了热阻，确保HBM5在高带宽、高密度整合的环境下仍能保持运行稳定性。三星强调，虽然HPB技术瞄准HBM5，但目前已在该公司展示的HBM4E产品上完成了技术验证，并计划从HBM5开始正式导入这一架构。
基础芯片基于2nm制程，2028年量产
除了散热技术的革新，三星还为HBM5规划了更先进的制造工艺。根据三星半导体官网及业内人士透露，未来的HBM5将采用更先进的工艺组合：核心芯片将继续沿用第六代10纳米级（1c）DRAM，而底部的逻辑基础芯片将升级为三星代工部门的2纳米工艺。这一升级旨在进一步提升逻辑运算效率，匹配GPU的飞速发展。关于量产时间表，据韩媒及多家权威财经媒体报道，三星电子的HBM5预计将在2028年左右实现量产。
全方位AI布局：适配NVIDIA Rubin平台
在本次COMPUTEX展上，三星不仅展示了内存技术，更强调了其顺应NVIDIA Vera Rubin平台发展方向的全栈解决方案。三星展台还同步展示了针对AI工作负载优化的存储新品，包括系统内存SOCAMM2，以及用于AI服务器的PM1763、PM1753与PM9D3a等固态硬盘。其中，PM1763预计将直接搭载于NVIDIA VR200 GPU服务器的本地SSD中使用。
在HBM的产能与定价方面，市场反应积极。摩根士丹利预测，得益于HBM及通用DRAM价格的全面上涨，三星电子今年营业利润同比增幅或将达到惊人的464%。随着三星在HBM4E上的率先出货以及HBM5的提前亮相，这家韩国半导体巨头正试图在下一代AI竞争中确立不可动摇的“超级差距”。
