纳微半导体盘前大涨，AI电力基础设施赛道再添新玩家
近期半导体行业出现了一个备受关注的事件——纳微半导体在盘前交易中股价显著上涨，成为AI基础设施投资热潮中又一获利者。消息的催化因素来自公司宣布与英伟达MGX生态系统建立合作关系，共同推进800 VDC的人工智能基础设施建设。
具体来看，纳微半导体于5月29日参加了英伟达在中国台北南港展览中心举办的合作伙伴典礼，并在COMPUTEX 2026展会上公开展示了其800 V至6 V直流-直流电源分配板（PDB）。该产品专为AI数据中心的800 VDC机架架构设计，目标在于优化系统效率与功率密度。
公司CEO Chris Allexandre在表态中直言：随着AI工作负载持续扩大，电力传输已成为构建下一代吉瓦级AI工厂过程中最棘手的挑战之一。
消息公布后，纳微半导体股价盘前涨幅超过22%。值得留意的是，该股过去一年累计上涨335%，年初至今涨幅达到262%，目前市值约为62.1亿美元。
消除中间转换环节，直攻GPU供电
纳微半导体此次展示的800 V至6 V电源分配板，是其参与英伟达MGX生态系统的核心产品。
该产品最引人注目的特点是——它直接省去了计算服务器托盘内传统的48 V中间总线转换器（IBC）环节。去除这一中间转换后，系统效率与可靠性均有提升空间，同时还能释放宝贵的机箱空间。
从技术参数来看，这块电源分配板搭载了16颗GaNFast场效应管，额定电压650 V、导通电阻11毫欧，采用最新的DFN8×8双面散热封装。目标峰值效率达到97.5%，工作开关频率为1 MHz，功率密度高达2100 W/in³。
更值得注意的是，该板的厚度比手机还要薄约20%。超薄外形设计使其能与GPU板实现极近距离集成，从而最大化瞬态性能并提升配电效率。
宽禁带半导体组合：覆盖从电网到GPU的全链路供电
纳微半导体这次推出的不仅是一块板子，而是一整套覆盖AI工厂全链路供电需求的宽禁带（WBG）半导体技术组合。
在碳化硅（SiC）产品线上，公司的GeneSiC解决方案支持从电网到AI计算机架的高效电力传输。具体产品包括采用2300 V和3300 V SiC功率模块的固态变压器，以及基于第五代技术1200 V SiC MOSFET的高功率三相电源供应单元。
在氮化镓（GaN）方向，GaNFast技术凭借MHz频率运行能力、更高功率密度和更快的瞬态响应，支持从机架级直接向GPU高效传输电力。截至目前，公司已拥有逾300项已授权或待审专利。
股价强势背后：营收超预期，但估值争议犹存
纳微半导体近期股价的强劲表现，部分得益于基本面的边际改善。
公司此前公布的2026财年第一季度营收为860万美元，超出市场预期的818万美元。但另一方面，每股亏损为0.15美元，明显差于市场预期的亏损0.05美元。
与此同时，公司近期完成了一笔规模1.22亿美元的按市价发行股票融资，与Craig-Hallum Capital Group LLC及瑞银证券签署销售协议，最高可发行1.25亿美元A类普通股。募集资金预计将用于支持公司在高功率市场及AI基础设施领域的战略布局。
但需警惕的是，有分析指出，在股价年内已大幅攀升的背景下，该股目前相对其公允价值估算存在高估。换言之，市场已将不少利好提前反映在价格中。
