据行业权威媒体报道，全球领先的存储芯片巨头SK海力士正规划在其位于中国大连的制造基地建设一条全新的闪存生产线。该产线将重点聚焦于生产采用浮栅（FG）技术的200层以上3D NAND闪存芯片，这标志着该公司在先进存储领域迈出了又一关键布局。
目前，主流闪存厂商大多采用电荷阱（CT）结构来制造3D NAND产品。而SK海力士得益于此前收购英特尔闪存业务，成为业内少数保留并持续深耕FG结构技术的企业。其大连一厂已具备量产192层FG NAND的成熟能力，为后续技术迭代奠定了坚实基础。
技术路线与量产时间表
根据报道，SK海力士已于去年完成了200层以上FG NAND闪存的研发工作，当前正稳步推进从研发向大规模量产的关键过渡。按照规划，公司计划在2026年第三季度建成一条中试生产线，相关生产设备的采购已经着手进行。而全面量产则预计在2027年下半年正式实现，届时将进一步提升其在高端闪存市场的竞争力。
FG结构的技术优势与应用前景
与CT结构相比，FG结构在制造每单元存储更多比特数的QLC NAND闪存方面展现出明显优势。这类闪存特别适用于读取密集型的数据存储场景，例如大规模数据中心和云计算环境。随着人工智能，尤其是推理型工作负载的快速增长，市场对能够高效处理大量读取操作、同时减少写入频率的固态硬盘（SSD）需求持续攀升，这为QLC NAND提供了极为广阔的应用空间。
此外，坚持FG技术路线也有助于旗下品牌Solidigm在产品开发与技术演进上保持高度一致性，确保长期技术规划能够顺利衔接，从而强化整体业务协同效应。