存储容量的需求持续攀升，NAND闪存的堆叠层数也随之水涨船高。目前，部分国际头部厂商已将量产工艺推进至400层以上。然而，作为NAND闪存技术的开创者，铠侠此次并未将“堆叠层数”作为首要冲刺目标。

近日，铠侠正式发布了第十代BiCS闪存——Gen10。与上一代Gen8相比，这款新产品在多项核心指标上实现了显著提升：存储密度提高59%，读取速度提升15%，写入速度更是猛增25%。令人关注的是，其读取功耗降低40%，写入功耗也下降了30%。

在堆叠结构上，Gen10从Gen8的218层增加到332层，增幅达52%。这一数字相较某些厂商宣称的400层以上确实显得更为低调。但铠侠特别指出：层数并非衡量性能与价值的唯一标准。根据他们提供的对比数据，在与主流400层以上方案的正面较量中，332层的设计反而使单位GB制造成本降低近10%，能效提升超10%，器件可靠性更是增强了35%以上。

需要说明的是，该对比主要围绕成本、功耗和可靠性等综合指标展开，未直接比较存储密度。事实上，在单位面积存储容量方面，更高的堆叠层数天然具有优势，这也是许多厂商持续向上堆叠层数的原因。

更值得关注的是接口性能。铠侠依托自研的CMOS直接键合（CBA）技术，已设定目标：2029年实现4.8Gbps的接口速率。届时，行业主流水平大概率仍在3.6Gbps区间徘徊。若这一路径成功，铠侠在该技术方向上或可保持约四年的领先优势。

关于闪存晶圆级键合技术，除了国际上的几家主要厂商，国内的长江存储也早已布局，形成了自主特色的技术积累，并已具备量产能力。行业生态日益丰富，竞争格局也变得更加有趣。