《科创板日报》6月2日讯 —— 在Computex 2026的展台上，三星电子展示了其两大旗舰产品：第八代HBM5芯片，以及一项被誉为“散热王牌”的HPB（Heat Pass Block）导热块方案。

据海外媒体报道，这款HBM5将基于三星自研的2nm工艺制造，量产时间预计锁定在2028年。而HPB技术，正是该方案中不可或缺的热管理核心。

HPB究竟是什么？更具体地说，它是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，主要材质为铜基。相较于传统聚合物基材，其导热性能直接提升了两到三个数量级，增幅大约在500至1000倍之间。

三星电子CTO宋载赫在展会现场打了一个形象的比方：这相当于给芯片内部安装了一个独立的“烟囱”，专门用于排出热量。温度降低后，系统运行自然更加稳定。他在会上强调，这项技术对于下一代HBM在高带宽、高密度的AI应用场景中至关重要，可以说直接决定了整个系统的运行效率与稳定性。

值得关注的是，HPB技术并非突然出现。三星此前已在Exynos 2600处理器上进行了实装验证，结果相当亮眼——散热性能直接提升了30%。这意味着，HPB的潜力远不止于HBM领域，它完全有能力进一步拓展至移动处理器市场。

两大方案落地，散热策略各有侧重

当前，AI基础设施对散热的需求已进入白热化阶段，存储领域的散热技术也在快速迭代。就在三星发布HPB的同时，竞争对手SK海力士同样没有停下脚步。

5月26日，SK海力士推出了自己的方案——iHBM。该方案的核心是，在HBM封装内集成一个名为“ICE”的一体化冷却元件，同样瞄准了HBM5及后续产品。SK海力士特别指出，这套方案与客户现有的SiP系统级封装环境高度兼容，客户无需大幅修改设计即可直接部署。

问题随之而来：三星和SK海力士为何不约而同地死磕HBM散热？答案就在架构本身。HBM5在架构上追求更高的速率和更大的数据吞吐量，但代价是发热量也随之飙升。尤其是负责与GPU通信的D2D PHY单元，几乎成了芯片内部的“火焰山”。而无论是HPB还是iHBM，它们的聪明之处都在于：直接在D2D PHY区域开辟一条独立的散热路径，让热流快速导出，从而降低热阻，增强系统稳定性。

散热技术的集体升级，也意味着HBM的供货紧张局势短期内不会缓解。根据TrendForce集邦咨询的最新研究，三大原厂的HBM合约价采用年度议价机制，很难及时反映季度价格波动。当前，买卖双方已开始就2027年的HBM4供应展开谈判。TrendForce的判断非常明确：基于DRAM供不应求的局面，以及新旧HBM世代本身极高的制造难度和成本压力，三大原厂大概率会在2027年大幅上调报价。