全链网报道：大幅上调DRAM和NAND价格预测，市场紧缺程度远超此前预期
4月23日电——高盛刚刚发布了一份引人注目的预测报告。报告的核心结论是：到2026年，DRAM和NAND闪存的市场价格，预计将分别飙升250%至280%以及200%至250%。要知道，就在今年1月份，他们对这两项指标的预测还仅仅是150%和100%。这意味着，短短几个月内，机构的预期发生了近乎翻倍的上调。背后的驱动力是什么？答案指向了AI服务器需求的狂飙，以及供应链端难以迅速跟上的产能限制。这两股力量交织在一起，正在将市场的紧缺程度推向一个远超此前想象的水平。
其实，市场对存储芯片涨价的预期早已存在，但这次预测的上调幅度，无疑给整个行业敲响了更响亮的警钟。一方面，全球AI基础设施的军备竞赛如火如荼，对高带宽内存（HBM）和高速存储的需求呈现出爆炸式增长，这直接拉动了作为核心元件的DRAM和NAND的需求。另一方面，上游制造端的扩产并非一蹴而就，尖端制程的产能爬坡、原材料供应以及地缘整治等因素，共同构成了供应侧的“紧箍咒”。需求端的热火朝天与供应端的步履蹒跚，共同导演了这场即将到来的价格风暴。
话说回来，如此剧烈的价格波动，影响的绝不仅仅是芯片制造商和采购商。它将像涟漪一样扩散至整个电子产业链，从数据中心、高端服务器到消费电子终端，成本压力最终可能传导至下游产品。可以确定的是，未来两年，如何保障关键存储元件的稳定供应，将成为众多科技公司战略规划中的头等大事。市场紧缺程度远超此前预期——这不再是一个遥远的预警，而是正在加速到来的现实。
