据智通财经APP消息，中泰证券最新研报围绕玻璃基板在先进封装领域的应用给出了深度分析，核心观点值得关注。玻璃基板凭借可调CTE（热膨胀系数）、低介电损耗以及极高的平整度，正在成为下一代封装技术的核心方向。研报判断，2026年将是商业化元年，随后会迎来从0到1的产业窗口期。而上游原片环节，由于技术壁垒高、价值量大，且与药用硼硅玻璃底层工艺相通，国产替代的空间最为明确。
后摩尔时代，先进封装为何指向玻璃基板
摩尔定律正在逼近物理和经济两重天花板。单纯靠制程微缩来满足AI芯片对高带宽、低时延、低功耗的指数级需求，已经越来越吃力。当前主流的CoWoS封装虽然广泛用于AI/HPC芯片，但硅中介层成本高昂，单片超过100美元，占封装成本一半以上；同时，圆形晶圆与方形芯片的结构性矛盾导致面积利用率持续下降，热应力翘曲问题也在侵蚀良率。先进封装技术正在沿着两条主线演进：从晶圆级向面板级升级，从有机材料向无机材料迭代。面板级封装在超大尺寸场景下，面积利用率能从45%提升到81%，成本下降10%—20%。玻璃基板凭借可调CTE、纳米级表面平整度、低介电损耗等特性，可以从根源上缓解大尺寸封装中的翘曲问题，还能支持2μm以下的高密度布线——这使它成为下一代芯片基板的核心方向。
全球龙头加速布局，2026年商业化元年
台积电在2025年正式将部分CoWoS升级为CoPoS，核心变化是从圆形晶圆切换到方形面板。首条试验产线预计2026年启动，目标2028年底到2029年上半年实现规模化量产，英伟达等已列为首批战略合作伙伴。英特尔则在2024年发布了Glass-Core方案，用玻璃替代ABF有机载板，2026年首次展示EMIB+玻璃芯基板样品，实现了无微裂纹的超低翘曲以及45μm超细间距凸点。综合这些进展，2026年有望成为玻璃基板的商业化元年——英特尔已经展示了实物样品，台积电在推进CoPoS试验线，三星电机计划2027年量产。预计到2028年前后，行业将进入规模化渗透阶段。
应用场景拓展至CPO和6G，国内取得实质突破
玻璃基板的应用场景正在快速扩展。在光电共封装（CPO）领域，康宁2024年提出了基于玻璃的光电共封装方案，在同一基板上集成低损耗光波导与TGV电互连结构，玻璃的低介电损耗、高平整度和光学透明性使其成为理想衬底。在6G射频与集成无源器件（IPD）领域，玻璃基板在30GHz下的损耗角正切低于0.001，能显著降低插入损耗。国内市场这边，上海芯波与云天半导体联合推进的3D Glass IPD项目，累计交付已突破1000万颗，这标志着全球首条3D Glass IPD产线实现了规模化稳定生产——一个相当有分量的里程碑。
市场空间广阔，上游原片是核心，中游TGV是关键瓶颈
2024年全球先进封装市场规模约450亿美元，预计2030年达到800亿美元，复合增长率9.4%。产业链上，上游玻璃原片的核心材料是无碱/低碱硼硅特种电子玻璃，全球市场由康宁、AGC、肖特主导，国内凯盛科技、旗滨集团、力诺药包、戈碧迦等正在加速追赶。这里有一个有意思的关联：半导体玻璃基板与药用中性硼硅玻璃共享同一核心材料体系，国内药用玻璃企业凭借长期积累的配方调控能力，能够相对快速地切入这个赛道。中游核心工艺是TGV通孔成型，激光诱导刻蚀是目前最优路径，能实现深宽比1:10到1:50，最小直径10μm的通孔，且无碎屑和微裂纹。通孔金属化填充则采用化学镀种子层加“底向上”电镀方案以实现无缺陷填充，但大面积、多层布线仍然面临光刻对准精度、层间粘附力以及冷热循环分层等关键工艺挑战。
核心瓶颈与国内企业的突破窗口
当前产业链的核心瓶颈集中在几个环节：玻璃原片的高纯度配方调控、大尺寸均匀性控制；TGV高深宽比无缺陷填充；以及多层布线的光刻对准与层间附着力提升。国内企业在药用硼硅玻璃领域已实现快速国产替代，山东药玻、力诺药包等具备向半导体玻璃基板延伸的底层能力。从全产业链来看，国内上市公司及创新企业已在原片、TGV加工、金属化填充、封装检测等环节形成初步布局，有望在2026年商业化元年开启之际，抓住从0到1的产业窗口期。
风险提示：技术产业化进展不及预期、行业竞争加剧、市场需求不及预期、研究报告使用的公开资料可能存在信息滞后或更新不及时、第三方数据失真等风险。
