近日，三星发布了一项重要突破：采用12纳米工艺，成功制造出单颗32Gb的DDR5内存颗粒。这意味着什么？在相同封装尺寸下，存储容量实现翻倍，同时功耗降低约10%，并且生产128GB内存模组时，甚至无需使用硅通孔工艺。

这为未来实现高达1TB容量的内存模组奠定了坚实基础。

随着12纳米级内存产品线的持续扩展，三星不断为人工智能、下一代计算等多个行业的不同应用提供有力支持。

回溯至2023年9月1日，三星正式宣布，采用12纳米级工艺技术，成功开发出自家容量最大的32Gb DDR5 DRAM。这一进展距离2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM，时间间隔并不长。

三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁SangJoon Hwang表示：

基于最新推出的12纳米级32Gb内存，我们已经能够研发出实现1TB内存模组的解决方案。这对于满足人工智能和大数据时代对大容量DRAM内存日益增长的需求至关重要。未来，三星将继续通过差异化的工艺与设计技术，开发内存解决方案，致力于突破内存技术的瓶颈。

回顾三星内存的发展历程，从1983年开发出首款64千比特内存算起，过去40年间，内存容量提升了50万倍。此次推出的32Gb DDR5内存颗粒，凭借前沿工艺技术提升了集成密度，并优化了封装设计。与DDR5 16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸下，单片DRAM内存颗粒容量实现了翻倍。

值得注意的是，过去使用16Gb颗粒制造DDR5 128GB模组，必须采用硅通孔工艺。而现在，利用最新开发的32Gb颗粒，无需硅通孔工艺即可生产128GB模组。相比16Gb颗粒封装的128GB模组，功耗降低了约10%。这一技术突破，使该产品成为数据中心这类对能效极为敏感的企业眼中的理想选择。

以12纳米级32Gb DDR5 DRAM为基础，三星计划继续扩充大容量内存产品线，以满足高性能计算和IT行业持续增长的需求。通过向数据中心以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供12纳米级32Gb内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。可以预见，该产品未来也将在三星与核心行业伙伴的长期合作中发挥关键作用。

全新的12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。