LG伊诺特ECTC展示全球首创铜柱工艺半导体基板
全球半导体封装行业年度技术风向标——第76届IEEE电子元器件与技术大会（ECTC），正在美国佛罗里达州奥兰多隆重举行。作为由IEEE电子封装学会主办的顶级国际会议，ECTC的行业权威性备受认可。本届大会规模空前，吸引了来自全球20多个国家的超过2000名专家学者与产业领袖，英特尔、安靠、日月光、IBM等135家产业链领军企业也齐聚一堂。
在众多行业巨头之中，首次参展的LG伊诺特（LG Innotek）选择了一个极具战略性的领域来展示其技术突破。公司将展示重点聚焦于当前高性能计算（HPC）与人工智能（AI）芯片的核心承载部件：FC-BGA封装基板。
应对AI算力挑战，布局大尺寸FC-BGA基板
随着生成式AI与大模型训练的飞速发展，数据中心对算力的需求呈现爆炸式增长，这对芯片的集成度、功耗和信号传输性能提出了极致要求。这一趋势正驱动先进封装技术向高密度、大尺寸和多功能集成方向快速演进。作为承载高性能CPU、GPU及AI芯片的关键中介层，FC-BGA封装基板的技术水平直接关系到最终芯片的性能表现。
LG伊诺特此次展出的核心技术成果，正是一款尺寸达到85mm×85mm的大尺寸FC-BGA基板。这一尺寸已处于行业领先水平，但公司的技术展示并未止步于此。他们同时亮相了一款面积在此基础上再增大约40%的超大尺寸FC-BGA样品。此举明确展现了LG伊诺特在攻克大尺寸、高复杂度基板制造工艺方面的深厚技术积累与市场雄心。
追求“大尺寸”，更攻克“高精度”
然而，仅仅实现基板尺寸的扩大并不足够，如何在更大的面积上保障极高的布线精度、稳定的电气性能以及长期可靠性，才是真正的技术壁垒。除了FC-BGA基板本体，LG伊诺特还展示了应用于该平台的芯片嵌入技术。该技术能够将半导体芯片直接埋入基板内部，有利于实现封装体更薄、互联密度更高的系统集成，是未来2.5D/3D先进封装发展的关键路径之一。
更为引人注目的是，公司还发布了一项“全球首创”技术：采用铜柱（Cu-Post）互连工艺的5G通信射频系统级封装（RF-SiP）基板。RF-SiP技术将射频前端模块中的多颗芯片集成于单一封装内，对信号损耗、散热管理和噪声抑制有着严苛要求。引入铜柱工艺，旨在显著提升互连密度与电气性能，降低传输损耗，这对于追求高速率、低延迟的5G通信设备以及未来的6G技术演进，具有至关重要的价值。
从面向AI芯片的大尺寸FC-BGA，到用于移动通信的创新型RF-SiP基板，LG伊诺特在ECTC大会的首次亮相，清晰地描绘了其深度切入高端半导体封装材料市场的技术蓝图。在人工智能驱动算力基础设施升级与全球通信技术迭代的双重机遇下，这一系列布局显得极具前瞻性。接下来，如何将先进的样品技术转化为具备高良率、高可靠性与成本竞争力的大规模量产产品，并获得全球顶级芯片设计公司的认证与订单，将成为衡量其市场竞争力的关键所在。
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LG伊诺特在ECTC大会上首次展示大尺寸FC-BGA封装基板，以应对AI算力需求，包括85mm×85mm及更大尺寸样品，突显高密度制造能力。同时推出全球首创铜柱工艺的5G通信RF-SiP基板，提升电气性能与互联密度，彰显其进军高端半导体封装市场的决心。
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