寒序科技与SEMIFIVE合作流片三星8纳米eMRAM边缘人工智能芯片
韩国领先的芯片设计服务公司SEMIFIVE近日宣布，其与中国前沿磁自旋芯片研发企业寒序科技（ICY Tech）的战略合作取得关键性突破。双方基于三星晶圆代工先进的8LPU制程工艺，成功完成了首款集成eMRAM（嵌入式磁性随机存取存储器）的新一代边缘AI芯片的流片验证。
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此次流片成功对SEMIFIVE具有里程碑意义——这是该公司在其ASIC设计项目中首次成功集成并验证eMRAM技术。从更广阔的产业视角来看，这也是亚洲范围内首次实现8纳米eMRAM技术的商业化部署，标志着该技术在先进制程节点上的应用迈出了实质性一步。
eMRAM技术究竟具备哪些核心优势？本质上，它是一种高性能的非易失性存储器。与需要持续刷新以维持数据的DRAM不同，eMRAM在断电后数据依然能够完整保存。其技术核心在于MTJ（磁隧道结）结构，它利用电子自旋而非电荷来存储信息，这种机制赋予了数据近乎永久的保持特性。同时，其存储单元尺寸更小，能够在同等芯片面积下实现比传统SRAM更高的存储密度，这对于追求极致小型化与高能效比的边缘AI设备而言，无疑是关键的技术突破。
聚焦于这款合作开发的芯片，寒序科技的设计架构同样值得关注。芯片采用了创新的PNM（近内存处理）架构，其设计初衷并非简单的技术叠加，而是旨在精准解决当前边缘AI推理中普遍存在的“内存墙”难题，即内存带宽成为性能瓶颈。通过将计算单元紧密部署在内存附近，该架构能够显著降低数据搬运的延迟与功耗，从而为更复杂、参数规模更大的AI模型在资源受限的终端设备上高效运行提供了可能。据悉，该芯片设计能够支持参数量高达20亿（2B）的AI模型在终端侧进行流畅推理，这极大地拓展了边缘智能在物联网、移动设备等领域的应用潜力与想象空间。
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