长江存储全新晶圆厂规划揭晓！产能将翻倍增长 国产设备占比首次突破50%大关

近日，一则来自半导体产业的重磅动态引发业界高度关注。据多家权威媒体援引内部人士消息，中国存储芯片领域的龙头企业长江存储，已正式确定了一项全新的产能扩张战略。

除了预计今年在武汉竣工的第三座晶圆厂外，公司还计划额外兴建两座全新的生产设施。业界分析指出，待这些项目全面投入运营后，长江存储的总产能将实现跨越式增长，较现有规模提升超过100%。

具体而言，长江存储在武汉已成功运营两座晶圆厂，总月产能达到20万片。而处于规划阶段的三座新工厂，每座在达到满产状态后，均可贡献每月10万片晶圆的产能。其中，建设进度最快的第三期工厂，核心生产设备已开始进场安装，按计划将于今年年底前实现量产。根据路线图，到2027年，该工厂将率先达成月产5万片晶圆的初步目标。

当然，三期工厂最受瞩目的亮点，远不止于产能的提升。更具里程碑意义的是，其生产线所采购的国产化设备比例，历史上首次超过了50%。这意味着，它将成为长江存储旗下首个以国产设备为主导的晶圆制造基地。

需要指出的是，目前长江存储整体生产线的国产设备采用率已高达45%左右，这在国内所有晶圆制造企业中已处于领先地位。回顾其早期建设的一期和二期工厂，核心工艺设备主要依赖欧美日供应商。关键的转折发生在2024年，长江存储被纳入美国实体清单后，来自ASML等国际巨头的设备供应渠道受阻。这一外部挑战，客观上极大地加速了其供应链自主可控的进程。

那么，即将在三期工厂承担重任的国产设备，其技术实力究竟如何？据了解，这些设备覆盖了3D NAND闪存芯片制造中的关键环节，例如薄膜沉积、刻蚀及垂直堆叠等，中微半导体等国内头部设备商在其中扮演了核心供应商角色。纵观国内整个晶圆制造行业，国产设备的平均渗透率普遍在15%到30%区间。因此，三期工厂的建成与量产，绝非一次普通的产能扩充，它更是国产半导体装备在高强度、大规模量产环境中面临的一次全面“压力测试”。核心的挑战在于，国产设备集群能否稳定保障3D NAND芯片的高良率与大规模生产？目前来看，要达到这一目标，仍需攻克部分关键技术瓶颈。

正因如此，后续两座新工厂的最终建设决策，将很大程度上取决于三期工厂的量产验证成果。这场验证的成功与否，意义非凡。为了加速半导体设备国产化进程，国家及产业资本已投入并持续规划数百亿元资金，全力支持本土产业链实现技术突破与进口替代。

除了在NAND闪存这一核心业务上持续发力，长江存储也在积极拓展产品矩阵。最新行业信息显示，公司已开始向潜在客户送测其研发的低功耗DRAM芯片样品，客户评估反馈预计将于今年年底前陆续返回。这表明，长江存储正朝着构建覆盖更全面的存储产品生态稳步迈进。

市场数据可以更清晰地印证其行业地位。2025年，长江存储已占据全球NAND闪存市场约11.8%的份额，与西部数据旗下闪迪品牌并列。目前，三星电子以30.4%的市场占有率保持领先，SK海力士、铠侠以及美光科技则分别以16%、15.9%和13.3%的份额位居其后。

知名市场研究机构Yole Group预测，到2028年，长江存储的全球市场份额有望进一步提升至15%。在技术层面，长江存储目前基于其创新的Xtacking 4.0架构，已实现约270层3D NAND闪存的量产。相比之下，SK海力士的321层4D NAND技术和三星电子的286层第九代V-NAND技术，在堆叠层数上暂时保持领先。可以预见，全球存储芯片领域的技术竞赛与市场格局争夺，未来将愈发激烈。