2026年4月1日，存储芯片制造商铠侠宣布，将逐步停止生产部分传统浮栅式二维NAND闪存及第三代BiCS FLASH产品。此次调整涵盖采用32纳米、24纳米及15纳米制程工艺的浮栅式与BiCS FLASH Gen3系列晶圆，以及基于该技术的BGA封装、TSOP封装、eMMC、UFS和标准SD卡等形态的产品，适用类型包括SLC、MLC与TLC。
铠侠明确，客户提交最终采购预测的截止日期为2026年9月30日，而相关产品的最后出货时间定于2028年12月31日。自此之后，铠侠将全面退出二维NAND闪存市场。
此前，该公司已于3月16日发布通知，先行终止采用TSOP封装的MLC NAND闪存产品的供应。业内普遍认为，MLC NAND单位价值持续承压，而人工智能应用的快速发展正加速推动高性能TLC与QLC闪存的需求增长。在此背景下，头部存储厂商正系统性优化产品结构，将研发与产能资源集中投向附加值更高、技术门槛更高的新一代存储解决方案。
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